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IRF7905PBF Datasheet

  • IRF7905PBF

  • International Rectifier [HEXFET Power MOSFET]

  • IRF

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

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PD - 97065A
IRF7905PbF
HEXFET
廬
Power MOSFET
Applications
l
Dual SO-8 MOSFET for POL
Converters in Notebook Computers, Servers,
Graphics Cards, Game Consoles
and Set-Top Box
Benefits
l
Very Low R
DS(on)
at 4.5V V
GS
l
Low Gate Charge
l
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
l
20V V
GS
Max. Gate Rating
l
Improved Body Diode Reverse Recovery
l
100% Tested for R
G
l
Lead-Free
V
DSS
30V
Q1 21.8m
:
@V
GS
= 10V
Q2 17.1m
:
@V
GS
= 10V

'

R
DS(on)
max
I
D
7.8A
8.9A


6


*


6


*

'


'


'

SO-8
Absolute Maximum Ratings
Parameter
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
= 25擄C
I
D
@ T
A
= 70擄C
I
DM
P
D
@T
A
= 25擄C
P
D
@T
A
= 70擄C
T
J
T
STG
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
7.8
6.2
62
2.0
1.3
0.016
-55 to + 150
Q1 Max.
30
鹵 20
Q2 Max.
Units
V
8.9
7.1
71
2.0
1.3
0.016
W/擄C
擄C
W
A
c
Power Dissipation
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Thermal Resistance
R
胃JL
R
胃JA
Parameter
Junction-to-Drain Lead
g
Junction-to-Ambient
fg
Q1 Max.
20
62.5
Q2 Max.
20
62.5
Units
擄C/W
www.irf.com
1
07/10/06

IRF7905PBF 產(chǎn)品屬性

  • 95

  • 分離式半導體產(chǎn)品

  • FET - 陣列

  • HEXFET®

  • 2 個 N 溝道（雙）

  • 邏輯電平門

  • 30V

  • 7.8A，8.9A

  • 21.8 毫歐 @ 7.8A，10V

  • 2.25V @ 25µA

  • 6.9nC @ 4.5V

  • 600pF @ 15V

  • 2W

  • 表面貼裝

  • 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

  • 8-SO

  • 管件

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