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IRF7902PBF Datasheet

  • IRF7902PBF

  • HEXFET Power MOSFET

  • 262.04KB

  • 10頁

  • IRF

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

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PD - 97194A
IRF7902PbF
HEXFET
廬
Power MOSFET
Applications
l
Dual SO-8 MOSFET for POL
Converters in Notebook Computers, Servers,
Graphics Cards, Game Consoles
and Set-Top Box
Benefits
l
Very Low R
DS(on)
at 4.5V V
GS
l
Low Gate Charge
l
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
l
20V V
GS
Max. Gate Rating
l
Improved Body Diode Reverse Recovery
l
Lead-Free
V
DSS
30V
Q1 22.6m
:
@V
GS
= 10V
Q2 14.4m
:
@V
GS
= 10V
9
T 脙脙9!
T 脙脙9!
T 脙脙9!
R
DS(on)
max
I
D
6.4A
9.7A
B
T!
T!
B!
SO-8
Absolute Maximum Ratings
Parameter
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
= 25擄C
I
D
@ T
A
= 70擄C
I
DM
P
D
@T
A
= 25擄C
P
D
@T
A
= 70擄C
T
J
T
STG
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
Q1 Max.
30
鹵 20
6.4
5.1
51
1.4
0.9
0.011
Q2 Max.
Units
V
c
Power Dissipation
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
9.7
7.8
78
2.0
1.3
0.016
-55 to + 150
A
W
W/擄C
擄C
Thermal Resistance
R
胃JL
R
胃JA
Parameter
Junction-to-Drain Lead
g
Junction-to-Ambient
fg
Q1 Max.
20
90
Q2 Max.
20
62.5
Units
擄C/W
www.irf.com
1
07/10/06

IRF7902PBF 產(chǎn)品屬性

  • 95

  • 分離式半導體產(chǎn)品

  • FET - 陣列

  • HEXFET®

  • 2 個 N 溝道（雙）

  • 邏輯電平門

  • 30V

  • 6.4A，9.7A

  • 22.6 毫歐 @ 6.4A，10V

  • 2.25V @ 25µA

  • 6.9nC @ 4.5V

  • 580pF @ 15V

  • 1.4W，2W

  • 表面貼裝

  • 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

  • 8-SO

  • 管件

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