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IRF7807VD1 Datasheet

  • IRF7807VD1

  • FETKY⑩ MOSFET / SCHOTTKY DIODE

  • 9頁(yè)

  • IRF

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PD-94078
IRF7807VD1
FETKY鈩?MOSFET / SCHOTTKY DIODE
鈥?Co-Pack N-channel HEXFET
餂?/div>
Power MOSFET
and Schottky Diode
鈥?Ideal for Synchronous Rectifiers in DC-DC
Converters Up to 5A Output
鈥?Low Conduction Losses
鈥?Low Switching Losses
鈥?Low Vf Schottky Rectifier
Description
The FETKY
鈩?/div>
family of Co-Pack HEXFET
餂?/div>
MOSFETs and
Schottky diodes offers the designer an innovative, board
space saving solution for switching regulator and power
management applications. HEXFET power MOSFETs
utilize advanced processing techniques to achieve
extremely low on-resistance per silicon area. Combining
this technology with International Rectifier鈥檚 low forward
drop Schottky rectifiers results in an extremely efficient
device suitable for use in a wide variety of portable
electronics applications.
The SO-8 has been modified through a customized
leadframe for enhanced thermal characteristics. The SO-
8 package is designed for vapor phase, infrared or wave
soldering techniques.
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain or Source
Current (V
GS
鈮?/div>
4.5V)
Pulsed Drain CurrentQ
Power DissipationS
Schottky and Body Diode
Average ForwardCurrentT
25擄C
70擄C
25擄C
70擄C
T
J
, T
STG
I
F
(AV)
25擄C
70擄C
I
DM
P
D
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
Max.
30
鹵20
8.3
6.6
66
2.5
1.6
3.5
2.2
鈥?5 to 150
擄C
W
A
A
Units
V
A/S
A/S
A/S
G
1
8
K/D
K/D
K/D
K/D
D
2
7
3
6
4
5
SO-8
Top View
DEVICE CHARACTERISTICSU
IRF7807VD1
R
DS
(on)
Q
G
Q
sw
Q
oss
17m鈩?/div>
9.5nC
3.4nC
12nC
Junction & Storage Temperature Range
Thermal Resistance
Parameter
Maximum Junction-to-AmbientS
Maximum Junction-to-Lead
R
胃JA
R
胃JL
Max.
50
20
Units
擄C/W
擄C/W
www.irf.com
1
03/05/01

IRF7807VD1 產(chǎn)品屬性

  • 95

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • FET - 單

  • FETKY™

  • MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • 二極管（隔離式）

  • 30V

  • 8.3A

  • 25 毫歐 @ 7A，4.5V

  • 3V @ 250µA

  • 14nC @ 4.5V

  • -

  • 2.5W

  • 表面貼裝

  • 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

  • 8-SO

  • 管件

  • *IRF7807VD1

IRF7807VD1相關(guān)型號(hào)PDF文件下載

  • 型號(hào)
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 2.25A, 350-400V
    FAIRCHILD
  • 英文版
    2.0A, 400V, 3.600 Ohm, N-Channel Power MOSFET
    INTERSIL
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 2.25A, 350-400V
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    2.0A, 400V, 3.600 Ohm, N-Channel Power MOSFET
    INTERSIL [...
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 2.25A, 350-400V
    FAIRCHILD
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 2.25A, 350-400V
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 2.25A, 350-400V
    FAIRCHILD
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 2.25A, 350-400V
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 2.25A, 350-400V
    FAIRCHILD
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 2.25A, 350-400V
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    3.3A, 400V, 1.800 Ohm, N-Channel Power MOSFET
    INTERSIL
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 350-400 V
    FAIRCHILD
  • 英文版
    TRANSISTORS N-CHANNEL
    IRF
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 350-400 V
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG [S...
  • 英文版
    TRANSISTORS N-CHANNEL
    IRF [Inter...
  • 英文版
    3.3A, 400V, 1.800 Ohm, N-Channel Power MOSFET
    INTERSIL [...
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    TRANSISTORS N-CHANNEL
    IRF
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 350-400 V
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