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IRF7750 Datasheet

  • IRF7750

  • Power MOSFET(Vdss=-20V, Rds(on)=0.030ohm)

  • 7頁

  • IRF

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PD - 93848A
IRF7750
HEXFET
廬
Power MOSFET
l
l
l
l
l
Ultra Low On-Resistance
Dual P-Channel MOSFET
Very Small SOIC Package
Low Profile ( < 1.1mm)
Available in Tape & Reel
TSSOP-8
V
DSS
= -20V
R
DS(on)
= 0.030鈩?/div>
Description
HEXFET
廬
power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely
low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the ruggedized device design, that International Rectifier
is well known for,
provides the designer with an extremely efficient and reliable device for battery and load
management.
The TSSOP-8 package has 45% less footprint area than the standard SO-8. This makes the TSSOP-8 an ideal device
for applications where printed circuit board space is at a premium. The low profile (<1.1mm) allows it to fit easily into
extremely thin environments such as portable electronics and PCMCIA cards.
Absolute Maximum Ratings
Parameter
V
DS
I
D
@ T
C
= 25擄C
I
D
@ T
C
= 70擄C
I
DM
P
D
@T
C
= 25擄C
P
D
@T
C
= 70擄C
V
GS
T
J,
T
STG
Drain- Source Voltage
Continuous Drain Current, V
GS
@ -4.5V
Continuous Drain Current, V
GS
@ -4.5V
Pulsed Drain Current
聛
Power Dissipation
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Junction and Storage Temperature Range
Max.
-20
鹵4.7
鹵3.8
鹵38
1.0
0.64
0.008
鹵 12
-55 to + 150
Units
V
A
W
W/擄C
V
擄C
Thermal Resistance
Parameter
R
胃JA
Maximum Junction-to-Ambient
聝
Max.
125
Units
擄C/W
www.irf.com
1
5/25/2000

IRF7750 產(chǎn)品屬性

  • 100

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • FET - 陣列

  • HEXFET®

  • 2 個(gè) P 溝道（雙）

  • 邏輯電平門

  • 20V

  • 4.7A

  • 30 毫歐 @ 4.7A，4.5V

  • 1.2V @ 250µA

  • 39nC @ 5V

  • 1700pF @ 15V

  • 1W

  • 表面貼裝

  • 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）

  • 8-TSSOP

  • 管件

IRF7750相關(guān)型號(hào)PDF文件下載

  • 型號(hào)
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 2.25A, 350-400V
    FAIRCHILD
  • 英文版
    2.0A, 400V, 3.600 Ohm, N-Channel Power MOSFET
    INTERSIL
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 2.25A, 350-400V
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    2.0A, 400V, 3.600 Ohm, N-Channel Power MOSFET
    INTERSIL [...
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 2.25A, 350-400V
    FAIRCHILD
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 2.25A, 350-400V
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 2.25A, 350-400V
    FAIRCHILD
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 2.25A, 350-400V
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 2.25A, 350-400V
    FAIRCHILD
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 2.25A, 350-400V
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    3.3A, 400V, 1.800 Ohm, N-Channel Power MOSFET
    INTERSIL
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 350-400 V
    FAIRCHILD
  • 英文版
    TRANSISTORS N-CHANNEL
    IRF
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 350-400 V
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG [S...
  • 英文版
    TRANSISTORS N-CHANNEL
    IRF [Inter...
  • 英文版
    3.3A, 400V, 1.800 Ohm, N-Channel Power MOSFET
    INTERSIL [...
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    IRF
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    N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 350-400 V
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