IRF7707PBF Datasheet

IC型號(hào)：
IRF7707PBF
PDF描述：
HEXFET㈢ Power MOSFET
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146.27KB
PDF頁(yè)數(shù)：
8頁(yè)
芯片廠(chǎng)家：
IRF

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PD-96024

IRF7707PbF

HEXFET

廬

Power MOSFET

Ultra Low On-Resistance

P-Channel MOSFET

Very Small SOIC Package

Low Profile (< 1.2mm)

Available in Tape & Reel

Lead-Free

DSS

-20V

DS(on)

max

22m鈩V

= -4.5V

33m鈩V

= -2.5V

7.0A

6.0A

Description

HEXFET

廬

Power MOSFETs from International Rectifier

utilize advanced processing techniques to achieve ex-

tremely low on-resistance per silicon area. This benefit,

combined with the ruggedized device design, that Inter-

national Rectifier is well known for,

provides thedesigner

with an extremely efficient and reliable device for

battery and load management.

The TSSOP-8 package has 45% less footprint area than

the standard SO-8. This makes the TSSOP-8 an ideal

device for applications where printed circuit board space

is at a premium. The low profile (<1.2mm) allows it to fit

easily into extremely thin environments such as portable

electronics and PCMCIA cards.

TSSOP-8

Absolute Maximum Ratings

Parameter

@ T

= 25擄C

@ T

= 70擄C

= 25擄C

= 70擄C

, T

STG

Drain-Source Voltage

Continuous Drain Current, V

@ -4.5V

Continuous Drain Current, V

@ -4.5V

Pulsed Drain Current

聛

Maximum Power Dissipation

聝

Maximum Power Dissipation

聝

Linear Derating Factor

Gate-to-Source Voltage

Junction and Storage Temperature Range

Max.

-20

-7.0

-5.7

-28

1.5

1.0

0.01

鹵12

-55 to +150

Units

W/擄C

擄C

Thermal Resistance

Parameter

胃JA

Maximum Junction-to-Ambient

聝

Max.

Units

擄C/W

www.irf.com

01/04/06

典型關(guān)斷延遲時(shí)間
134 ns
典型接通延遲時(shí)間
11 ns
典型柵極電荷@Vgs
31 nC V @ 4.5
典型輸入電容值@Vds
2361 pF V @ 15
安裝類(lèi)型
表面貼裝
寬度
4.4mm
封裝類(lèi)型
TSSOP
尺寸
3 x 4.4 x 1mm
引腳數(shù)目
8
最低工作溫度
-55 °C
最大功率耗散
1500 mW
最大柵源電壓
±12 V
最大漏源電壓
20 V
最大漏源電阻值
0.022
最大連續(xù)漏極電流
7 A
最高工作溫度
+150 °C
每片芯片元件數(shù)目
1
類(lèi)別
功率 MOSFET
通道模式
增強(qiáng)
通道類(lèi)型
P
配置
四源、單、三漏極
長(zhǎng)度
3mm
高度
1mm

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型號(hào)

版本

描述

廠(chǎng)商

下載
IRF710

英文版

N-Channel Power MOSFETs, 2.25A, 350-400V

FAIRCHILD

IRF710
IRF710

英文版

2.0A, 400V, 3.600 Ohm, N-Channel Power MOSFET

IRF710
IRF710

英文版

N-Channel Power MOSFETs, 2.25A, 350-400V

FAIRCHILD ...

IRF710
IRF710

英文版

2.0A, 400V, 3.600 Ohm, N-Channel Power MOSFET

INTERSIL [...

IRF710
IRF711

英文版

N-Channel Power MOSFETs, 2.25A, 350-400V

FAIRCHILD

IRF711
IRF711

英文版

N-Channel Power MOSFETs, 2.25A, 350-400V

FAIRCHILD ...

IRF711
IRF712

英文版

N-Channel Power MOSFETs, 2.25A, 350-400V

FAIRCHILD

IRF712
IRF712

英文版

N-Channel Power MOSFETs, 2.25A, 350-400V

FAIRCHILD ...

IRF712
IRF713

英文版

N-Channel Power MOSFETs, 2.25A, 350-400V

FAIRCHILD

IRF713
IRF713

英文版

N-Channel Power MOSFETs, 2.25A, 350-400V

FAIRCHILD ...

IRF713
IRF720

英文版

3.3A, 400V, 1.800 Ohm, N-Channel Power MOSFET

IRF720
IRF720

英文版

N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 350-400 V

FAIRCHILD

IRF720
IRF720

英文版

TRANSISTORS N-CHANNEL

IRF

IRF720
IRF720

英文版

N-CHANNEL POWER MOSFETS

IRF720
IRF720

英文版

N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 350-400 V

FAIRCHILD ...

IRF720
IRF720

英文版

N-CHANNEL POWER MOSFETS

SAMSUNG [S...

IRF720
IRF720

英文版

TRANSISTORS N-CHANNEL

IRF [Inter...

IRF720
IRF720

英文版

3.3A, 400V, 1.800 Ohm, N-Channel Power MOSFET

INTERSIL [...

IRF720
IRF721

英文版

TRANSISTORS N-CHANNEL

IRF

IRF721
IRF721

英文版

N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 350-400 V

FAIRCHILD

IRF721

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