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IRF7663 Datasheet

  • IRF7663

  • Power MOSFET(Vdss=-20V, Rds(on)=0.020ohm)

  • 7頁

  • IRF

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

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PD-91866B
IRF7663
HEXFET
廬
Power MOSFET
q
q
q
q
q
q
Trench Technology
Ultra Low On-Resistance
P-Channel MOSFET
Very Small SOIC Package
Low Profile (<1.1mm)
Available in Tape & Reel
S
1
8
7
A
D
D
D
D
S
S
G
2
V
DSS
= -20V
3
6
4
5
R
DS(on)
= 0.020鈩?/div>
T op V ie w
Description
New trench HEXFET
廬
power MOSFETs from International
Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve
extremely low on-resistance per silicon area. This benefit,
combined with the ruggedized device design that HEXFET
Power MOSFETs are well known for, provides the designer
with an extremely efficient and reliable device for use in a wide
variety of applications.
The new Micro8鈩?package has half the footprint area of the
standard SO-8. This makes the Micro8 an ideal package for
applications where printed circuit board space is at a premium.
The low profile (<1.1mm) of the Micro8 will allow it to fit easily
into extremely thin application environments such as portable
electronics and PCMCIA cards.
MICRO8鈩?/div>
Absolute Maximum Ratings
Parameter
V
DS
I
D
@ T
A
= 25擄C
I
D
@ T
A
= 70擄C
I
DM
P
D
@T
A
= 25擄C
P
D
@T
A
= 70擄C
E
AS
V
GS
T
J,
T
STG
Drain- Source Voltage
Continuous Drain Current, V
GS
@ -4.5V
Continuous Drain Current, V
GS
@ -4.5V
Pulsed Drain Current
聛
Power Dissipation
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Single Pulse Avalanche Energy聞
Gate-to-Source Voltage
Junction and Storage Temperature Range
Max.
-20
-8.2
-6.6
-66
1.8
1.15
10
115
鹵 12
-55 to + 150
Units
V
A
W
mW/擄C
mJ
V
擄C
Thermal Resistance
Parameter
R
胃JA
Maximum Junction-to-Ambient
聝
Max.
70
Units
擄C/W
www.irf.com
1
5 /25/00

IRF7663 產(chǎn)品屬性

  • 0現(xiàn)貨

  • 停產(chǎn)

  • HEXFET?

  • 管件

  • 停產(chǎn)

  • P 通道

  • MOSFET（金屬氧化物）

  • 20 V

  • 8.2A（Ta）

  • 2.5V，4.5V

  • 20 毫歐 @ 7A，4.5V

  • 1.2V @ 250μA

  • 45 nC @ 5 V

  • ±12V

  • 2520 pF @ 10 V

  • -

  • 1.8W（Ta）

  • -

  • 表面貼裝型

  • Micro8?

  • 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）

IRF7663相關(guān)型號PDF文件下載

  • 型號
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 2.25A, 350-400V
    FAIRCHILD
  • 英文版
    2.0A, 400V, 3.600 Ohm, N-Channel Power MOSFET
    INTERSIL
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 2.25A, 350-400V
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    2.0A, 400V, 3.600 Ohm, N-Channel Power MOSFET
    INTERSIL [...
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 2.25A, 350-400V
    FAIRCHILD
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 2.25A, 350-400V
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 2.25A, 350-400V
    FAIRCHILD
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 2.25A, 350-400V
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 2.25A, 350-400V
    FAIRCHILD
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 2.25A, 350-400V
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    3.3A, 400V, 1.800 Ohm, N-Channel Power MOSFET
    INTERSIL
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 350-400 V
    FAIRCHILD
  • 英文版
    TRANSISTORS N-CHANNEL
    IRF
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 350-400 V
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG [S...
  • 英文版
    TRANSISTORS N-CHANNEL
    IRF [Inter...
  • 英文版
    3.3A, 400V, 1.800 Ohm, N-Channel Power MOSFET
    INTERSIL [...
  • 英文版
    TRANSISTORS N-CHANNEL
    IRF
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 350-400 V
    FAIRCHILD

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