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IRF7413A Datasheet

  • IRF7413A

  • Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.0135ohm)

  • 118.05KB

  • 9頁

  • IRF

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PD - 9.1613A
PRELIMINARY
Generation V Technology
l
Ultra Low On-Resistance
l
N-Channel Mosfet
l
Surface Mount
l
Available in Tape & Reel
l
Dynamic dv/dt Rating
l
Fast Switching
Description
l
A
A
D
D
D
D
IRF7413A
HEXFET
廬
Power MOSFET
1
2
8
7
S
S
S
G
V
DSS
= 30V
3
6
4
5
R
DS(on)
= 0.0135鈩?/div>
T op V iew
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques to achieve
extremely low on-resistance per silicon area. This benefit,
combined with the fast switching speed and ruggedized
device design that HEXFET Power MOSFETs are well
known for, provides the designer with an extremely efficient
and reliable device for use in a wide variety of applications.
The SO-8 has been modified through a customized
leadframe for enhanced thermal characteristics and
multiple-die capability making it ideal in a variety of power
applications. With these improvements, multiple devices
can be used in an application with dramatically reduced
board space. The package is designed for vapor phase,
infra red, or wave soldering techniques. Power dissipation
of greater than 0.8W is possible in a typical PCB mount
application.
S O -8
Absolute Maximum Ratings
Parameter
I
D
@ T
A
= 25擄C
I
D
@ T
A
= 70擄C
I
DM
P
D
@T
A
= 25擄C
V
GS
E
AS
dv/dt
T
J,
T
STG
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
聛
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Single Pulse Avalanche Energy聜
Peak Diode Recovery dv/dt
聝
Junction and Storage Temperature Range
Max.
12
8.4
58
2.5
0.02
鹵 20
260
5.0
-55 to + 150
Units
A
W
mW/擄C
V
mJ
V/ns
擄C
Thermal Resistance Ratings
Parameter
R
胃JA
Maximum Junction-to-Ambient聠
Typ.
鈥撯€撯€?/div>
Max.
50
Units
擄C/W
8/25/97

IRF7413A 產(chǎn)品屬性

  • 0現(xiàn)貨

  • 停產(chǎn)

  • HEXFET?

  • 管件

  • 停產(chǎn)

  • N 通道

  • MOSFET（金屬氧化物）

  • 30 V

  • 12A（Ta）

  • 4.5V，10V

  • 13.5 毫歐 @ 6.6A，10V

  • 1V @ 250μA

  • 79 nC @ 10 V

  • ±20V

  • 1800 pF @ 25 V

  • -

  • 2.5W（Ta）

  • -

  • 表面貼裝型

  • 8-SO

  • 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

IRF7413A相關(guān)型號(hào)PDF文件下載

  • 型號(hào)
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 2.25A, 350-400V
    FAIRCHILD
  • 英文版
    2.0A, 400V, 3.600 Ohm, N-Channel Power MOSFET
    INTERSIL
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 2.25A, 350-400V
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    2.0A, 400V, 3.600 Ohm, N-Channel Power MOSFET
    INTERSIL [...
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 2.25A, 350-400V
    FAIRCHILD
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 2.25A, 350-400V
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 2.25A, 350-400V
    FAIRCHILD
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 2.25A, 350-400V
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 2.25A, 350-400V
    FAIRCHILD
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 2.25A, 350-400V
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    3.3A, 400V, 1.800 Ohm, N-Channel Power MOSFET
    INTERSIL
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 350-400 V
    FAIRCHILD
  • 英文版
    TRANSISTORS N-CHANNEL
    IRF
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 350-400 V
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG [S...
  • 英文版
    TRANSISTORS N-CHANNEL
    IRF [Inter...
  • 英文版
    3.3A, 400V, 1.800 Ohm, N-Channel Power MOSFET
    INTERSIL [...
  • 英文版
    TRANSISTORS N-CHANNEL
    IRF
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 350-400 V
    FAIRCHILD

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