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IRF7379 Datasheet

  • IRF7379

  • Power MOSFET

  • 10頁

  • IRF

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

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PD - 91625
IRF7379
HEXFET
廬
Power MOSFET
l
l
l
l
l
Generation V Technology
Ultra Low On-Resistance
Complimentary Half Bridge
Surface Mount
Fully Avalanche Rated
S1
G1
S2
G2
N -C H A N N EL M O S FET
1
8
D1
D1
D2
D2
N-Ch
V
DSS
30V
P-Ch
-30V
2
7
3
6
4
5
P -C H AN N E L MO S FET
R
DS(on)
0.045鈩?0.090鈩?/div>
Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques to achieve
extremely low on-resistance per silicon area. This
benefit, combined with the fast switching speed and
ruggedized device design that HEXFET Power
MOSFETs are well known for, provides the designer
with an extremely efficient and reliable device for use
in a wide variety of applications.
The SO-8 has been modified through a customized
leadframe for enhanced thermal characteristics and
multiple-die capability making it ideal in a variety of
power applications. With these improvements, multiple
devices can be used in an application with dramatically
reduced board space. The package is designed for
vapor phase, infra red, or wave soldering techniques.
T o p V ie w
S O -8
Absolute Maximum Ratings
Parameter
V
SD
I
D
@ T
A
= 25擄C
I
D
@ T
A
= 70擄C
I
DM
P
D
@T
A
= 25擄C
V
GS
dv/dt
T
J,
T
STG
Drain-to-Source Voltage
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
聛
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt
聜
Junction and Storage Temperature Range
Max.
N-Channel
30
5.8
4.6
46
2.5
0.02
鹵 20
5.0
-55 to + 150
-5.0
P-Channel
-30
-4.3
-3.4
-34
Units
A
W
W/擄C
V
V/ns
擄C
Thermal Resistance Ratings
Parameter
R
胃JA
Maximum Junction-to-Ambient聞
Max.
50
Units
擄C/W
www.irf.com
1
12/8/98

IRF7379 產(chǎn)品屬性

  • 95

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • FET - 陣列

  • HEXFET®

  • N 和 P 溝道

  • 標(biāo)準(zhǔn)型

  • 30V

  • 5.8A，4.3A

  • 45 毫歐 @ 5.8A，10V

  • 1V @ 250µA

  • 25nC @ 10V

  • 520pF @ 25V

  • 2.5W

  • 表面貼裝

  • 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

  • 8-SO

  • 管件

  • *IRF7379

IRF7379相關(guān)型號(hào)PDF文件下載

  • 型號(hào)
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 2.25A, 350-400V
    FAIRCHILD
  • 英文版
    2.0A, 400V, 3.600 Ohm, N-Channel Power MOSFET
    INTERSIL
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 2.25A, 350-400V
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    2.0A, 400V, 3.600 Ohm, N-Channel Power MOSFET
    INTERSIL [...
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 2.25A, 350-400V
    FAIRCHILD
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 2.25A, 350-400V
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 2.25A, 350-400V
    FAIRCHILD
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 2.25A, 350-400V
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 2.25A, 350-400V
    FAIRCHILD
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 2.25A, 350-400V
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    3.3A, 400V, 1.800 Ohm, N-Channel Power MOSFET
    INTERSIL
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 350-400 V
    FAIRCHILD
  • 英文版
    TRANSISTORS N-CHANNEL
    IRF
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 350-400 V
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFETS
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  • 英文版
    TRANSISTORS N-CHANNEL
    IRF [Inter...
  • 英文版
    3.3A, 400V, 1.800 Ohm, N-Channel Power MOSFET
    INTERSIL [...
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    TRANSISTORS N-CHANNEL
    IRF
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    N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 350-400 V
    FAIRCHILD

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