IRF614 Datasheet

IC型號：
IRF614
PDF描述：
2.0A, 250V, 2.0 Ohm, N-Channel Power MOSFET
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48.74KB
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7頁
芯片廠家：
INTERSIL

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IRF614

January 1998

2.0A, 250V, 2.0 Ohm,

N-Channel Power MOSFET

Description

This is an N-Channel enhancement mode silicon gate power

鏗乪ld effect transistor. It is an advanced power MOSFET

designed, tested, and guaranteed to withstand a speci鏗乪d

level of energy in the breakdown avalanche mode of opera-

tion. This power MOSFET is designed for applications such

as switching regulators, switching converters, motor drivers,

relay drivers, and drivers for high power bipolar switching

transistors requiring high speed and low gate drive power.

This type can be operated directly from integrated circuits.

Formerly developmental type TA17443.

Features

鈥?2.0A, 250V

鈥?r

DS(ON)

= 2.0鈩?/div>

鈥?Single Pulse Avalanche Energy Rated

鈥?SOA is Power Dissipation Limited

鈥?Nanosecond Switching Speeds

鈥?Linear Transfer Characteristics

鈥?High Input Impedance

鈥?Related Literature

- TB334 鈥淕uidelines for Soldering Surface Mount

Components to PC Boards鈥?/div>

Symbol

Ordering Information

PART NUMBER

IRF614

PACKAGE

TO-220AB

BRAND

IRF614

NOTE: When ordering, use the entire part number.

Packaging

JEDEC TO-220AB

SOURCE

DRAIN

GATE

DRAIN (FLANGE)

CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper ESD Handling Procedures.

http://www.intersil.com or 407-727-9207

漏

Intersil Corporation 1999

File Number

3273.1

標(biāo)準(zhǔn)包裝
1,000
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)
標(biāo)準(zhǔn)型
漏極至源極電壓(Vdss)
250V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
2.7A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
2 歐姆 @ 1.6A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
8.2nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
140pF @ 25V
功率 - 最大
36W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-220AB
包裝
管件
其它名稱
*IRF614

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型號

版本

描述

廠商

下載
IRF610

英文版

N-Channel Power MOSFETs, 3.5A, 150-200V

FAIRCHILD

IRF610
IRF610

英文版

3.3A, 200V, 1.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET

IRF610
IRF610

英文版

N-Channel Power MOSFETs, 3.5A, 150-200V

FAIRCHILD ...

IRF610
IRF610

英文版

3.3A, 200V, 1.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET

INTERSIL [...

IRF610
IRF611

英文版

N-Channel Power MOSFETs, 3.5A, 150-200V

FAIRCHILD

IRF611
IRF611

英文版

N-Channel Power MOSFETs, 3.5A, 150-200V

FAIRCHILD ...

IRF611
IRF612

英文版

N-Channel Power MOSFETs, 3.5A, 150-200V

FAIRCHILD

IRF612
IRF612

英文版

N-Channel Power MOSFETs, 3.5A, 150-200V

FAIRCHILD ...

IRF612
IRF613

英文版

N-Channel Power MOSFETs, 3.5A, 150-200V

FAIRCHILD

IRF613
IRF613

英文版

N-Channel Power MOSFETs, 3.5A, 150-200V

FAIRCHILD ...

IRF613
IRF614

英文版

2.0A, 250V, 2.0 Ohm, N-Channel Power MOSFET

IRF614
IRF614

英文版

2.0A, 250V, 2.0 Ohm, N-Channel Power MOSFET

INTERSIL [...

IRF614
IRF615

英文版

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 1.6A I(D) ...

ETC

IRF615
IRF620

英文版

N-Channel Power MOSFETs, 7A, 150-200V

FAIRCHILD

IRF620
IRF620

英文版

5.0A, 200V, 0.800 Ohm, N-Channel Power MOSFET

IRF620
IRF620

英文版

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS

IRF620
IRF620

英文版

Power MOSFET

TRSYS

IRF620
IRF620

英文版

5.0A, 200V, 0.800 Ohm, N-Channel Power MOSFET

INTERSIL [...

IRF620
IRF620

英文版

N-Channel Power MOSFETs, 7A, 150-200V

FAIRCHILD ...

IRF620
IRF620

英文版

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS

STMICROELECTRON...

IRF620

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