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IRF5851 Datasheet

  • IRF5851

  • Power MOSFET(Vdss = +-20 V)

  • 14頁

  • IRF

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

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PD-93998A
IRF5851
HEXFET
廬
Power MOSFET
l
l
l
l
l
Ultra Low On-Resistance
Dual N and P Channel MOSFET
Surface Mount
Available in Tape & Reel
Low Gate Charge
N-Ch
G1
1
6
D1
P-Ch
-20V
S2
2
5
S1
V
DSS
20V
G2
3
4
D2
R
DS(on)
0.090鈩?0.135鈩?/div>
Description
These N and P channel MOSFETs from International
Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve
the extremely low on-resistance per silicon area. This
benefit provides the designer with an extremely efficient
device for use in battery and load management
applications.
This Dual TSOP-6 package is ideal for applications
where printed circuit board space is at a premium and
where maximum functionality is required. With two die
per package, the IRF5851 can provide the functionality of
two SOT-23 packages in a smaller footprint. Its unique
thermal design and R
DS(on)
reduction enables an
increase in current-handling capability.
TSOP-6
Absolute Maximum Ratings
Parameter
V
DS
I
D
@ T
A
= 25擄C
I
D
@ T
A
= 70擄C
I
DM
P
D
@T
A
= 25擄C
P
D
@T
A
= 70擄C
V
GS
T
J,
T
STG
Drain-to-Source Voltage
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
聛
Power Dissipation
聝
Power Dissipation
聝
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Junction and Storage Temperature Range
Max.
N-Channel
20
2.7
2.2
11
0.96
0.62
7.7
鹵 12
-55 to + 150
P-Channel
-20
-2.2
-1.7
-9.0
Units
A
W
mW/擄C
V
擄C
Thermal Resistance
Parameter
R
胃JA
Maximum Junction-to-Ambient
聝
Typ.
鈥撯€撯€?/div>
Max.
130
Units
擄C/W
www.irf.com
1
2/26/02

IRF5851 產(chǎn)品屬性

  • 0現(xiàn)貨

  • 停產(chǎn)

  • HEXFET?

  • 管件

  • 停產(chǎn)

  • MOSFET（金屬氧化物）

  • N 和 P 溝道

  • 邏輯電平門

  • 20V

  • 2.7A，2.2A

  • 90 毫歐 @ 2.7A，4.5V

  • 1.25V @ 250μA

  • 6nC @ 4.5V

  • 400pF @ 15V

  • 960mW

  • -

  • 表面貼裝型

  • SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6

  • 6-TSOP

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  • 型號
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    Analog IC
    ETC
  • 英文版
    Analog IC
    ETC
  • 英文版
    50W to 500W HIGH POWER WIRE WOUND RESISTORS FLAT SHAPED ALUM...
    ETC
  • 英文版
    50W to 500W HIGH POWER WIRE WOUND RESISTORS FLAT SHAPED ALUM...
    ETC [ETC]
  • 英文版
    5.6A, 100V, 0.540 Ohm, N-Channel Power MOSFET
    INTERSIL
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 5.5 A, 60-100V
    FAIRCHILD
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.54ohm, Id=5.6A)
    IRF
  • 英文版
    N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs
    SUPERTEX
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.54ohm, Id=5.6A)
    IRF [Inter...
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 5.5 A, 60-100V
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs
    SUTEX [Sup...
  • 英文版
    5.6A, 100V, 0.540 Ohm, N-Channel Power MOSFET
    INTERSIL [...
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 5.5 A, 60-100V
    FAIRCHILD
  • 英文版
    N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs
    SUPERTEX
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    N-Channel Power MOSFETs, 5.5 A, 60-100V
    FAIRCHILD ...
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    SUTEX [Sup...
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    SUPERTEX
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