IRF5810 Datasheet

IC型號：
IRF5810
PDF描述：
Power MOSFET(Vdss=-20V)
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209.63KB
PDF頁數(shù)：
9頁
芯片廠家：
IRF

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PD -94198

IRF5810

HEXFET

廬

Power MOSFET

Ultra Low On-Resistance

Dual P-Channel MOSFET

Surface Mount

Available in Tape & Reel

Low Gate Charge

DSS

-20V

鈩?

DS(on)

max (m鈩?

90@V

= -4.5V

135@V

= -2.5V

-2.9A

-2.3A

Description

These P-channel HEXFET

廬

Power MOSFETs from

International Rectifier utilize advanced processing

techniques to achieve the extremely low on-resistance

per silicon area. This benefit provides the designer

with an extremely efficient device for use in battery and

load management applications.

This Dual TSOP-6 package is ideal for applications

where printed circuit board space is at a premium and

where maximum functionality is required. With two

die per package, the IRF5810 can provide the

functionality of two SOT-23 packages in a smaller

footprint. Its unique thermal design and R

DS(on)

reduction enables an increase in current-handling

capability.

TSOP-6

Absolute Maximum Ratings

Parameter

@ T

= 25擄C

@ T

= 70擄C

= 25擄C

= 70擄C

STG

Drain- Source Voltage

Continuous Drain Current, V

@ -4.5V

Continuous Drain Current, V

@ -4.5V

Pulsed Drain Current

聛

Power Dissipation

聝

Power Dissipation

聝

Linear Derating Factor

Gate-to-Source Voltage

Junction and Storage Temperature Range

Max.

-20

-2.9

-2.3

-11

0.96

0.62

0.008

鹵 12

-55 to + 150

Units

mW/擄C

擄C

Thermal Resistance

Parameter

胃JA

Maximum Junction-to-Ambient

聝

Max.

130

Units

擄C/W

www.irf.com

6/6/01

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨
價格
停產(chǎn)
系列
HEXFET?
包裝
管件
產(chǎn)品狀態(tài)
停產(chǎn)
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
配置
2 個 P 溝道（雙）
FET 功能
邏輯電平門
漏源電壓（Vdss）
20V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
2.9A
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）
90 毫歐 @ 2.9A，4.5V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
9.6nC @ 4.5V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
650pF @ 16V
功率 - 最大值
960mW
工作溫度
-
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6
供應(yīng)商器件封裝
6-TSOP

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型號

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描述

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IRF5D

英文版

Analog IC

ETC

IRF5D
IRF5S

英文版

Analog IC

ETC

IRF5S
IRF500

英文版

50W to 500W HIGH POWER WIRE WOUND RESISTORS FLAT SHAPED ALUM...

ETC

IRF500
IRF500

英文版

50W to 500W HIGH POWER WIRE WOUND RESISTORS FLAT SHAPED ALUM...

ETC [ETC]

IRF500
IRF510

英文版

5.6A, 100V, 0.540 Ohm, N-Channel Power MOSFET

IRF510
IRF510

英文版

N-Channel Power MOSFETs, 5.5 A, 60-100V

FAIRCHILD

IRF510
IRF510

英文版

Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.54ohm, Id=5.6A)

IRF

IRF510
IRF510

英文版

N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs

IRF510
IRF510

英文版

Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.54ohm, Id=5.6A)

IRF [Inter...

IRF510
IRF510

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N-Channel Power MOSFETs, 5.5 A, 60-100V

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SUTEX [Sup...

IRF510
IRF510

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5.6A, 100V, 0.540 Ohm, N-Channel Power MOSFET

INTERSIL [...

IRF510
IRF511

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IRF511
IRF511

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IRF511
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IRF512

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IRF512
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N-Channel Power MOSFETs, 5.5 A, 60-100V

FAIRCHILD

IRF512
IRF512

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N-Channel Power MOSFETs, 5.5 A, 60-100V

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IRF512
IRF513

英文版

N-Channel Power MOSFETs, 5.5 A, 60-100V

FAIRCHILD

IRF513

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