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IRF5800 Datasheet

  • IRF5800

  • Power MOSFET(Vdss=-30V, Rds(on)=0.085ohm)

  • 8頁

  • IRF

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PD - 93850
IRF5800
HEXFET
廬
Power MOSFET
l
l
l
l
l
Ultra Low On-Resistance
P-Channel MOSFET
Surface Mount
Available in Tape & Reel
Low Gate Charge
D
1
6
A
D
V
DSS
= -30V
D
2
5
D
G
3
4
S
R
DS(on)
= 0.085鈩?/div>
T o p V ie w
Description
These P-channel MOSFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques to achieve the
extremely low on-resistance per silicon area. This benefit
provides the designer with an extremely efficient device for
use in battery and load management applications.
The TSOP-6 package with its customized leadframe
produces a HEXFET
廬
power MOSFET with R
DS(on)
60%
less than a similar size SOT-23. This package is ideal for
applications where printed circuit board space is at a
premium. It's unique thermal design and R
DS(on)
reduction
enables a current-handling increase of nearly 300%
compared to the SOT-23.
TSOP-6
Absolute Maximum Ratings
Parameter
V
DS
I
D
@ T
A
= 25擄C
I
D
@ T
A
= 70擄C
I
DM
P
D
@T
A
= 25擄C
P
D
@T
A
= 70擄C
E
AS
V
GS
T
J,
T
STG
Drain- Source Voltage
Continuous Drain Current, V
GS
@ -4.5V
Continuous Drain Current, V
GS
@ -4.5V
Pulsed Drain Current
聛
Power Dissipation
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Single Pulse Avalanche Energy聞
Gate-to-Source Voltage
Junction and Storage Temperature Range
Max.
-30
-4.0
-3.2
-32
2.0
1.3
0.016
20.6
鹵 20
-55 to + 150
Units
V
A
W
W/擄C
mJ
V
擄C
Thermal Resistance
Parameter
R
胃JA
Maximum Junction-to-Ambient
聝
Max.
62.5
Units
擄C/W
www.irf.com
1
2/8/00

IRF5800 產品屬性

  • 100

  • 分離式半導體產品

  • FET - 單

  • HEXFET®

  • MOSFET P 通道，金屬氧化物

  • 邏輯電平門

  • 30V

  • 4A

  • 85 毫歐 @ 4A，10V

  • 1V @ 250µA

  • 17nC @ 10V

  • 535pF @ 25V

  • 2W

  • 表面貼裝

  • 6-TSOP（0.059"，1.50mm 寬）

  • Micro6?（TSOP-6）

  • 管件

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  • 型號
    版本
    描述
    廠商
    下載
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    ETC
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    Analog IC
    ETC
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    ETC
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    ETC [ETC]
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