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IRF510A Datasheet

  • IRF510A

  • Advanced Power MOSFET

  • 7頁(yè)

  • FAIRCHILD

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Advanced Power MOSFET
FEATURES
n
Avalanche Rugged Technology
n
Rugged Gate Oxide Technology
n
Lower Input Capacitance
n
Improved Gate Charge
n
Extended Safe Operating Area
n
175擄C Operating Temperature
n
Lower Leakage Current : 10
渭A
(Max.) @ V
DS
= 100V
n
Lower R
DS(ON)
: 0.289
鈩?/div>
(Typ.)
IRF510A
BV
DSS
= 100 V
R
DS(on)
= 0.4
鈩?/div>
I
D
= 5.6 A
TO-220
1
2
3
1.Gate 2. Drain 3. Source
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv/dt
P
D
T
J
, T
STG
T
L
Characteristic
Drain-to-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
C
=25鈩?
Continuous Drain Current (T
C
=100鈩?
Drain Current-Pulsed
Gate-to-Source Voltage
Single Pulsed Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
Total Power Dissipation (T
C
=25鈩?
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Maximum Lead Temp. for Soldering
Purposes, 1/8? from case for 5-seconds
(2)
(1)
(1)
(1)
Value
100
5.6
4
20
鹵20
63
5.6
3.3
6.5
33
0.22
- 55 to +175
Units
V
A
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
W/擄C
(2)
擄C
300
Thermal Resistance
Symbol
R
胃JC
R
胃CS
R
胃JA
Characteristic
Junction-to-Case
Case-to-Sink
Junction-to-Ambient
Typ.
--
0.5
--
Max.
4.51
--
62.5
擄C/W
Units
Rev. B1

IRF510A 產(chǎn)品屬性

  • Fairchild Semiconductor

  • MOSFET

  • N-Channel

  • 100 V

  • +/- 20 V

  • 5.6 A

  • 0.4 Ohms

  • Single

  • + 175 C

  • Through Hole

  • TO-220AB

  • Tube

  • 18 ns

  • 3.49 S

  • - 55 C

  • 33 W

  • 14 ns

  • 50

  • 28 ns

  • IRF510A_NL

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  • 型號(hào)
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    Analog IC
    ETC
  • 英文版
    Analog IC
    ETC
  • 英文版
    50W to 500W HIGH POWER WIRE WOUND RESISTORS FLAT SHAPED ALUM...
    ETC
  • 英文版
    50W to 500W HIGH POWER WIRE WOUND RESISTORS FLAT SHAPED ALUM...
    ETC [ETC]
  • 英文版
    5.6A, 100V, 0.540 Ohm, N-Channel Power MOSFET
    INTERSIL
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 5.5 A, 60-100V
    FAIRCHILD
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.54ohm, Id=5.6A)
    IRF
  • 英文版
    N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs
    SUPERTEX
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.54ohm, Id=5.6A)
    IRF [Inter...
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 5.5 A, 60-100V
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs
    SUTEX [Sup...
  • 英文版
    5.6A, 100V, 0.540 Ohm, N-Channel Power MOSFET
    INTERSIL [...
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 5.5 A, 60-100V
    FAIRCHILD
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    N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs
    SUPERTEX
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