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IRF3703 Datasheet

  • IRF3703

  • Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=2.8mohm, Id=210A)

  • 8頁

  • IRF

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PD - 93918
SMPS MOSFET
IRF3703
HEXFET
廬
Power MOSFET
Applications
l
Synchronous Rectification
l
Active ORing
Benefits
l
Ultra Low On-Resistance
l
Low Gate Impedance to Reduce Switching
Losses
l
Fully Avalanche Rated
V
DSS
30V
R
DS(on)
max
2.8m鈩?/div>
I
D
210A
聠
TO-220AB
Absolute Maximum Ratings
Parameter
I
D
@ T
C
= 25擄C
I
D
@ T
C
= 100擄C
I
DM
P
D
@T
C
= 25擄C
P
D
@T
A
= 25擄C
V
GS
dv/dt
T
J,
T
STG
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
聛
Power Dissipation
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt
聝
Junction and Storage Temperature Range
Max.
210
聠
100
聠
1000
230
3.8
1.5
鹵 20
5.0
-55 to + 175
Units
A
W
W/擄C
V
V/ns
擄C
Thermal Resistance
Parameter
R
胃JC
R
胃CS
R
胃JA
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient
Typ.
鈥撯€撯€?/div>
0.5
鈥撯€撯€?/div>
Max.
0.65
鈥撯€撯€?/div>
62
Units
擄C/W
Notes
聛
through
聠
are on page 8
www.irf.com
1
02/27/01

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    版本
    描述
    廠商
    下載
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    Inductors
    VISHAY
  • 英文版
    Inductors
    VISAY [Vis...
  • 英文版
    50W to 500W HIGH POWER WIRE WOUND RESISTORS FLAT SHAPED ALUM...
    ETC
  • 英文版
    50W to 500W HIGH POWER WIRE WOUND RESISTORS FLAT SHAPED ALUM...
    ETC [ETC]
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 350-400 V
    FAIRCHILD
  • 英文版
    2.8A and 3.3A, 350V and 400V, 1.8 and 2.5 Ohm, N-Channel Pow...
    INTERSIL
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG [S...
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 350-400 V
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    2.8A and 3.3A, 350V and 400V, 1.8 and 2.5 Ohm, N-Channel Pow...
    INTERSIL [...
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 350-400 V
    FAIRCHILD
  • 英文版
    2.8A and 3.3A, 350V and 400V, 1.8 and 2.5 Ohm, N-Channel Pow...
    INTERSIL
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    SAMSUNG
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    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG [S...
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    INTERSIL [...
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