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IRF3000 Datasheet

  • IRF3000

  • SMPS MOSFET

  • 122.68KB

  • 8頁

  • IRF

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PD- 94423
SMPS MOSFET
Applications
l
High frequency DC-DC converters
IRF3000
HEXFET
廬
Power MOSFET
R
DS(on)
max
0.40W@V
GS
= 10V
V
DSS
300V
I
D
1.6A
Benefits
l
Low Gate to Drain Charge to Reduce
Switching Losses
l
Fully Characterized Capacitance Including
Effective C
OSS
to Simplify Design, (See
App. Note AN1001)
l
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
S
S
S
G
1
8
A
A
D
D
D
D
2
7
3
6
4
5
Top View
SO-8
Absolute Maximum Ratings
Parameter
I
D
@ T
A
= 25擄C
I
D
@ T
A
= 70擄C
I
DM
P
D
@T
A
= 25擄C
V
GS
dv/dt
T
J
T
STG
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
聛
Power Dissipation聞
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt
聠
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Max.
1.6
1.3
13
2.5
0.02
鹵 30
8.9
-55 to + 150
300 (1.6mm from case )
Units
A
W
W/擄C
V
V/ns
擄C
Thermal Resistance
Symbol
R
胃JL
R
胃JA
Parameter
Junction-to-Drain Lead
Junction-to-Ambient
聞
Typ.
鈥撯€撯€?/div>
鈥撯€撯€?/div>
Max.
20
50
Units
擄C/W
Notes
聛
through
聠
are on page 8
www.irf.com
1
4/2/02

IRF3000 產品屬性

  • 95

  • 分離式半導體產品

  • FET - 單

  • HEXFET®

  • MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • 標準型

  • 300V

  • 1.6A

  • 400 毫歐 @ 960mA，10V

  • 5V @ 250µA

  • 33nC @ 10V

  • 730pF @ 25V

  • 2.5W

  • 表面貼裝

  • 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

  • 8-SO

  • 管件

  • *IRF3000Q1439458

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    版本
    描述
    廠商
    下載
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    VISHAY
  • 英文版
    Inductors
    VISAY [Vis...
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    ETC
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    ETC [ETC]
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