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IRF1302S Datasheet

  • IRF1302S

  • Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=4.0mohm, Id=174A)

  • 11頁

  • IRF

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PD - 94520
AUTOMOTIVE MOSFET
Benefits
鈼?/div>
鈼?/div>
鈼?/div>
鈼?/div>
鈼?/div>
鈼?/div>
IRF1302S
IRF1302L
HEXFET
廬
Power MOSFET
D
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
Dynamic dv/dt Rating
175擄C Operating Temperature
Fast Switching
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
G
V
DSS
= 20V
R
DS(on)
= 4.0m鈩?/div>
S
I
D
= 174A聠
Description
Specifically designed for Automotive applications, this Stripe Planar
design of HEXFET
廬
Power MOSFET utilizes the lastest processing
techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area.
Additional features of this design are a 175擄C junction operating
temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche
rating. These benefits combine to make this design an extremely efficient
and reliable device for use in Automotive applications and a wide variety
of other applications.
D
2
Pak
IRF1302S
TO-262
IRF1302L
Absolute Maximum Ratings
Parameter
I
D
@ T
C
= 25擄C
I
D
@ T
C
= 100擄C
I
DM
P
D
@T
C
= 25擄C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv/dt
T
J
T
STG
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
聛
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Single Pulse Avalanche Energy聜
Avalanche Current聛
Repetitive Avalanche Energy聡
Peak Diode Recovery dv/dt
聝
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Max.
174聠
120聠
700
200
1.4
鹵 20
350
See Fig.12a, 12b, 15, 16
TBD
-55 to + 175
300 (1.6mm from case )
Units
A
W
W/擄C
V
mJ
A
mJ
V/ns
擄C
Thermal Resistance
Parameter
R
胃JC
R
胃JA
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient (PCB mount)
聢
Typ.
鈥撯€撯€?/div>
鈥撯€撯€?/div>
Max.
0.74
40
Units
擄C/W
www.irf.com
1
07/16/02

IRF1302S 產品屬性

  • 50

  • 分離式半導體產品

  • FET - 單

  • HEXFET®

  • MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • 標準型

  • 20V

  • 174A

  • 4 毫歐 @ 104A，10V

  • 4V @ 250µA

  • 120nC @ 10V

  • 3600pF @ 25V

  • 200W

  • 表面貼裝

  • TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

  • D2PAK

  • 管件

  • *IRF1302SQ1432949

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  • 型號
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    50W to 500W HIGH POWER WIRE WOUND RESISTORS FLAT SHAPED ALUM...
    ETC
  • 英文版
    50W to 500W HIGH POWER WIRE WOUND RESISTORS FLAT SHAPED ALUM...
    ETC [ETC]
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 27 A, 60-100V
    FAIRCHILD
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 27 A, 60-100V
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    8.0A and 9.2A, 80V and 100V, 0.27 and 0.36 Ohm, N-Channel, P...
    INTERSIL
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 11 A, 60-100 V
    FAIRCHILD
  • 英文版
    8.0A and 9.2A, 80V and 100V, 0.27 and 0.36 Ohm, N-Channel, P...
    INTERSIL [...
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG [S...
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 11 A, 60-100 V
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 11 A, 60-100 V
    FAIRCHILD
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    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG
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    8.0A and 9.2A, 80V and 100V, 0.27 and 0.36 Ohm, N-Channel, P...
    INTERSIL
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    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG [S...
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    N-Channel Power MOSFETs, 11 A, 60-100 V
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    SAMSUNG
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    8.0A and 9.2A, 80V and 100V, 0.27 and 0.36 Ohm, N-Channel, P...
    INTERSIL
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