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IPU25CNE8NG Datasheet

  • IPU25CNE8NG

  • OptiMOS㈢2 Power-Transistor

  • 13頁(yè)

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IPB26CNE8N G IPD25CNE8N G
IPI26CNE8N G IPP26CNE8N G IPU25CNE8N G
OptiMOS
廬
2 Power-Transistor
Features
鈥?N-channel, normal level
鈥?Excellent gate charge x
R
DS(on)
product (FOM)
鈥?Very low on-resistance
R
DS(on)
鈥?175 擄C operating temperature
鈥?Pb-free lead plating; RoHS compliant
鈥?Qualified according to JEDEC
1)
for target application
Product Summary
V
DS
R
DS(on),max (TO252)
I
D
85
25
35
V
m鈩?/div>
A
鈥?Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification
Type
IPB26CNE8N G
IPD25CNE8N G
IPI26CNE8N G
IPP26CNE8N G
IPU25CNE8N G
Package
Marking
PG-TO263-3
26CNE8N
PG-TO252-3
25CNE8N
PG-TO262-3
26CNE8N
PG-TO220-3
26CNE8N
PG-TO251-3
25CNE8N
Maximum ratings,
at
T
j
=25 擄C, unless otherwise specified
Parameter
Continuous drain current
Symbol Conditions
I
D
T
C
=25 擄C
T
C
=100 擄C
Pulsed drain current
2)
Avalanche energy, single pulse
Reverse diode dv /dt
Gate source voltage
3)
Power dissipation
Operating and storage temperature
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
1)
Value
35
25
140
65
6
鹵20
Unit
A
I
D,pulse
E
AS
dv /dt
V
GS
P
tot
T
j
,
T
stg
T
C
=25 擄C
I
D
=35 A,
R
GS
=25
鈩?/div>
I
D
=35 A,
V
DS
=68 V,
di /dt =100 A/碌s,
T
j,max
=175 擄C
mJ
kV/碌s
V
W
擄C
T
C
=25 擄C
71
-55 ... 175
55/175/56
J-STD20 and JESD22
see figure 3
2)
3)
T
jmax
=150擄C and duty cycle D=0.01 for Vgs<-5V
page 1
2006-02-17
Rev. 1.0

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