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IPS10N03LA Datasheet

  • IPS10N03LA

  • OptiMOS2 Power-Transistor

  • 11頁

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IPD10N03LA
IPS10N03LA
IPF10N03LA
IPU10N03LA
OptiMOS
廬
2 Power-Transistor
Features
鈥?Ideal for high-frequency dc/dc converters
鈥?Qualified according to JEDEC
1)
for target application
鈥?N-channel, logic level
鈥?Excellent gate charge x
R
DS(on)
product (FOM)
鈥?Superior thermal resistance
鈥?175 擄C operating temperature
Product Summary
V
DS
R
DS(on),max
I
D
25
10.4
30
V
m鈩?/div>
A
Type
IPD10N03LA
IPF10N03LA
IPS10N03LA
IPU10N03LA
Package
Ordering Code
Marking
P-TO252-3-11
Q67042-S4238
10N03LA
P-TO252-3-23
Q67042-S4239
10N03LA
P-TO251-3-11
Q67042-S4247
10N03LA
P-TO251-3-21
Q67042-S4242
10N03LA
Maximum ratings,
at
T
j
=25 擄C, unless otherwise specified
Parameter
Continuous drain current
Symbol Conditions
I
D
T
C
=25 擄C
2)
T
C
=100 擄C
Pulsed drain current
Avalanche energy, single pulse
Reverse diode dv /dt
Gate source voltage
4)
Power dissipation
Operating and storage temperature
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
I
D,pulse
E
AS
dv /dt
V
GS
P
tot
T
j
,
T
stg
T
C
=25 擄C
T
C
=25 擄C
3)
I
D
=30 A,
R
GS
=25
鈩?/div>
I
D
=30 A,
V
DS
=20 V,
di /dt =200 A/碌s,
T
j,max
=175 擄C
Value
30
30
210
80
6
鹵20
52
-55 ... 175
55/175/56
mJ
kV/碌s
V
W
擄C
Unit
A
Rev. 1.3
page 1
2004-05-19

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