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IPS022G Datasheet

  • IPS022G

  • DUAL FULLY PROTECTED POWER MOSFET SWITCH

  • 10頁

  • IRF

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Data Sheet No.PD60203
IPS022G
DUAL FULLY PROTECTED POWER MOSFET SWITCH
Features
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Over temperature shutdown
Over current shutdown
Active clamp
Low current & logic level input
E.S.D protection
Product Summary
R
ds(on)
V
clamp
I
shutdown
T
on
/T
off
Package
150m
鈩?/div>
(max)
50V
5A
1.5碌s
Description
The IPS022G are fully protected dual low side SMART
POWER MOSFETs respectively. They feature over-
current, over-temperature, ESD protection and drain
to source active clamp.These devices combine a
HEXFET廬 POWER MOSFET and a gate driver. They
offer full protection and high reliability required in
harsh environments. The driver allows short switch-
ing times and provides efficient protection by turning
OFF the power MOSFET when the temperature ex-
ceeds 165
o
C or when the drain current reaches 5A.
These devices restart once the input is cycled. The
avalanche capability is significantly enhanced by
the active clamp and covers most inductive load
demagnetizations.
8-Lead SOIC
IPS022G
(Dual)
Typical Connection
Load
R in series
(if needed)
Q
D
IN
control
S
S
Logic signal
(Refer to lead assignment for correct pin configuration)
www.irf.com
1

IPS022G 產品屬性

  • 95

  • 集成電路 (IC)

  • PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 內部開關

  • -

  • 低端

  • 非反相

  • 2

  • 130 毫歐

  • 1A

  • 10A

  • 4 V ~ 6 V

  • -40°C ~ 150°C

  • 表面貼裝

  • 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

  • 8-SO

  • 管件

  • *IPS022G

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    FULLY PROTECTED POWER MOSFET SWITCH
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    FULLY PROTECTED POWER MOSFET SWITCH
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    FULLY PROTECTED POWER MOSFET SWITCH
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    FULLY PROTECTED POWER MOSFET SWITCH
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    FULLY PROTECTED POWER MOSFET SWITCH
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    QUAD FULLY PROTECTED POWER MOSFET SWITCH
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    QUAD FULLY PROTECTED POWER MOSFET SWITCH
    IRF [Inter...
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    SINGLE/DUAL FULLY PROTECTED POWER MOSFET SWITCH
    IRF
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    SINGLE/DUAL FULLY PROTECTED POWER MOSFET SWITCH
    IRF [Inter...
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    IRF [Internatio...
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