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IPP100N04S2-04 Datasheet

  • IPP100N04S2-04

  • OptiMOS㈢ Power-Transistor

  • 154.88KB

  • 8頁

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IPB100N04S2-04
IPP100N04S2-04
OptiMOS
廬
Power-Transistor
Features
鈥?N-channel - Enhancement mode
鈥?Automotive AEC Q101 qualified
鈥?MSL1 up to 260擄C peak reflow
鈥?175擄C operating temperature
鈥?/div>
Green package (lead free)
鈥?Ultra low Rds(on)
鈥?100% Avalanche tested
Product Summary
V
DS
R
DS(on),max
(SMD version)
I
D
40
3.3
100
V
m鈩?/div>
A
PG-TO263-3-2
PG-TO220-3-1
Type
IPB100N04S2-04
IPP100N04S2-04
Package
PG-TO263-3-2
PG-TO220-3-1
Ordering Code
SP0002-19061
SP0002-19056
Marking
PN0404
PN0404
Maximum ratings,
at
T
j
=25 擄C, unless otherwise specified
Parameter
Continuous drain current
1)
Symbol
I
D
Conditions
T
C
=25 擄C,
V
GS
=10 V
T
C
=100 擄C,
V
GS
=10 V
2)
Pulsed drain current
2)
Avalanche energy, single pulse
2)
Gate source voltage
4)
Power dissipation
Operating and storage temperature
I
D,pulse
E
AS
V
GS
P
tot
T
j
,
T
stg
T
C
=25 擄C
T
C
=25 擄C
I
D
=80A
Value
100
100
400
810
鹵20
300
-55 ... +175
mJ
V
W
擄C
Unit
A
Rev. 1.0
page 1
2006-03-02

IPP100N04S2-04 產(chǎn)品屬性

  • IPB,IPP100N04S2-04

  • 500

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • FET - 單

  • OptiMOS™

  • MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • 標(biāo)準型

  • 40V

  • 100A

  • 3.6 毫歐 @ 80A，10V

  • 4V @ 250µA

  • 172nC @ 10V

  • 5300pF @ 25V

  • 300W

  • 通孔

  • TO-220-3

  • PG-TO220-3

  • 管件

  • SP000219056

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