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IC Datasheet頻道、中國IC資料網

IPD30N03S4L-14 Datasheet

IC型號：
IPD30N03S4L-14
PDF描述：
OptiMOS-T2 Power-Transistor
文件大小：
191.33KB
芯片廠家：
INFINEON

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IPD30N03S4L-14 產品屬性

數據列表
IPD30N03S4L-14
標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
OptiMOS™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
30A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
13.6 毫歐 @ 30A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.2V @ 10µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
14nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
980pF @ 25V
功率 - 最大
31W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
PG-TO252-3
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
IPD30N03S4L-14-NDIPD30N03S4L-14TRSP000275919

IPD30N03S4L-14相關型號PDF文件下載

型號

版本

描述

廠商

下載
IPD33CN10N...

英文版

OptiMOS㈢2 Power-Transistor

INFINEON [...

IPD33CN10NG
IPD350N06L...

英文版

OptiMOS㈢ Power-Transistor

INFINEON [...

IPD350N06LG
IPD30N03S2...

英文版

OptiMOS Power-Transistor

IPD30N03S2L-07
IPD30N03S2...

英文版

OptiMOS Power-Transistor

IPD30N03S2L-10
IPD30N03S2...

英文版

OptiMOS Power-Transistor

IPD30N03S2L-20
IPD30N03S4...

英文版

OptiMOS-T2 Power-Transistor

IPD30N03S4L-09
IPD30N03S4...

英文版

OptiMOS-T2 Power-Transistor

IPD30N03S4L-14
IPD30N06S4...

英文版

OptiMOS-T2 Power-Transistor

IPD30N06S4L-23

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