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IPB80N04S2-04 Datasheet

  • IPB80N04S2-04

  • OptiMOS㈢ Power-Transistor

  • 8頁

  • INFINEON   INFINEON

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IPB80N04S2-04
IPP80N04S2-04, IPI80N04S2-04
OptiMOS
廬
Power-Transistor
Features
鈥?N-channel - Enhancement mode
鈥?Automotive AEC Q101 qualified
鈥?MSL1 up to 260擄C peak reflow
鈥?175擄C operating temperature
鈥?/div>
Green package (lead free)
鈥?Ultra low Rds(on)
鈥?100% Avalanche tested
PG-TO263-3-2
Product Summary
V
DS
R
DS(on),max
(SMD version)
I
D
40
3.4
80
V
m鈩?/div>
A
PG-TO220-3-1
PG-TO262-3-1
Type
IPB80N04S2-04
IPP80N04S2-04
IPI80N04S2-04
Package
PG-TO263-3-2
PG-TO220-3-1
PG-TO262-3-1
Ordering Code
SP0002-18154
SP0002-19054
SP0002-19058
Marking
2N0404
2N0404
2N0404
Maximum ratings,
at
T
j
=25 擄C, unless otherwise specified
Parameter
Continuous drain current
1)
Symbol
I
D
Conditions
T
C
=25 擄C,
V
GS
=10 V
T
C
=100 擄C,
V
GS
=10 V
2)
Pulsed drain current
2)
Avalanche energy, single pulse
2)
Gate source voltage
4)
Power dissipation
Operating and storage temperature
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
I
D,pulse
E
AS
V
GS
P
tot
T
j
,
T
stg
T
C
=25 擄C
T
C
=25 擄C
I
D
=80A
Value
80
80
320
810
鹵20
300
-55 ... +175
55/175/56
mJ
V
W
擄C
Unit
A
Rev. 1.0
page 1
2006-03-02

IPB80N04S2-04 產(chǎn)品屬性

  • IPx80N04S2-04

  • 1,000

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • FET - 單

  • OptiMOS™

  • MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • 標(biāo)準(zhǔn)型

  • 40V

  • 80A

  • 3.4 毫歐 @ 80A，10V

  • 4V @ 250µA

  • 170nC @ 10V

  • 5300pF @ 25V

  • 300W

  • 表面貼裝

  • TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

  • PG-TO263-3

  • 帶卷 (TR)

  • SP000218154

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