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IC Datasheet頻道、中國IC資料網(wǎng)

IPB77N06S3-09 Datasheet

IC型號(hào)：
IPB77N06S3-09
PDF描述：
OptiMOS㈢-T Power-Transistor
文件大小：
156.37KB
芯片廠家：
INFINEON [Infineon Technologies AG]

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IPB77N06S3-09 PDF文件相關(guān)型號(hào)

IPI77N06S3-09,IPP77N06S3-09

IPB77N06S3-09 產(chǎn)品屬性

制造商
Infineon
產(chǎn)品種類
MOSFET
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
55 V
閘/源擊穿電壓
+/- 20 V
漏極連續(xù)電流
77 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
8.8 m Ohms
配置
Single
最大工作溫度
+ 175 C
安裝風(fēng)格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
TO-263
封裝
Reel
下降時(shí)間
51 ns
最小工作溫度
- 55 C
功率耗散
107 W
上升時(shí)間
51 ns
典型關(guān)閉延遲時(shí)間
29 ns
零件號(hào)別名
IPB77N06S309XT

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型號(hào)

版本

描述

廠商

下載
IPB77N06S3...

英文版

OptiMOS㈢-T Power-Transistor

INFINEON [...

IPB77N06S3-09

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