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IPB160N04S2-03 Datasheet

  • IPB160N04S2-03

  • OptiMOS㈢ - T Power-Transistor

  • 8頁

  • INFINEON   INFINEON

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IPB160N04S2-03
OptiMOS
廬
- T Power-Transistor
Features
鈥?N-channel - Enhancement mode
鈥?Automotive AEC Q101 qualified
鈥?MSL1 up to 260擄C peak reflow
鈥?175擄C operating temperature
鈥?Green package (lead free)
鈥?Ultra low Rds(on)
鈥?100% Avalanche tested
Product Summary
V
DS
R
DS(on),max
I
D
40
2.9
160
V
m鈩?/div>
A
PG-TO263-7-3
Type
IPB160N04S2-03
Package
PG-TO263-7-3
Ordering Code
SP0002-18151
Marking
P2N0403
Maximum ratings,
at
T
j
=25 擄C, unless otherwise specified
Parameter
Continuous drain current
Symbol Conditions
I
D
T
C
=25 擄C
T
C
=100 擄C
2)
Pulsed drain current
2)
Avalanche energy, single pulse
Gate source voltage
Power dissipation
Operating and storage temperature
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
I
D,pulse
E
AS
V
GS
P
tot
T
j
,
T
stg
T
C
=25 擄C
T
C
=25 擄C
I
D
=80A
Value
160
160
640
810
鹵20
300
-55 ... 175
55/175/56
mJ
V
W
擄C
Unit
A
Rev. 1.0
page 1
2006-03-02

IPB160N04S2-03 產(chǎn)品屬性

  • IPB160N04S2-03

  • 1,000

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • FET - 單

  • OptiMOS™

  • MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • 標(biāo)準(zhǔn)型

  • 40V

  • 160A

  • 2.9 毫歐 @ 60A，10V

  • 4V @ 250µA

  • 170nC @ 10V

  • 5300pF @ 25V

  • 300W

  • 表面貼裝

  • TO-263-7，D²Pak（6 引線+接片），TO-263CB

  • PG-TO263-7

  • 帶卷 (TR)

  • SP000218151

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