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IC Datasheet頻道、中國IC資料網(wǎng)

IHW30N120R2 Datasheet

IC型號：
IHW30N120R2
PDF描述：
Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode
文件大?。?/label>
386.56KB
芯片廠家：
INFINEON [Infineon Technologies AG]

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

IHW30N120R2 產(chǎn)品屬性

數(shù)據(jù)列表
IHW30N120R2
標(biāo)準(zhǔn)包裝
240
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
IGBT - 單路
系列
TrenchStop™
IGBT 類型
NPT、溝道和場截止
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
1200V
Vge, Ic時的最大Vce（開）
1.8V @ 15V，30A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
60A
功率 - 最大
390W
輸入類型
標(biāo)準(zhǔn)型
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝
PG-TO247-3
包裝
管件
其它名稱
SP000212017

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型號

版本

描述

廠商

下載
IHW30N60T

英文版

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