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IDB18E120 Datasheet

  • IDB18E120

  • Fast Switching EmCon Diode

  • 9頁

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IDP18E120
IDB18E120
Fast Switching EmCon Diode
Feature
鈥?/div>
1200 V EmCon technology
鈥?/div>
Fast recovery
鈥?/div>
Soft switching
鈥?/div>
Low reverse recovery charge
鈥?/div>
Low forward voltage
鈥?/div>
Easy paralleling
Product Summary
V
RRM
I
F
V
F
T
jmax
P-TO220-3.SMD
1200
18
1.65
150
P-TO220-2-2.
V
A
V
擄C
Type
IDP18E120
IDB18E120
Package
P-TO220-2-2.
Ordering Code
Q67040-S4493
Marking
D18E120
D18E120
Pin 1
C
NC
PIN 2
A
C
PIN 3
-
A
P-TO220-3.SMD Q67040-S4387
Maximum Ratings,
at
T
j
= 25 擄C, unless otherwise specified
Parameter
Repetitive peak reverse voltage
Continous forward current
T
C
=25擄C
T
C
=90擄C
Symbol
V
RRM
I
F
Value
1200
31
19.8
Unit
V
A
Surge non repetitive forward current
T
C
=25擄C,
t
p
=10 ms, sine halfwave
I
FSM
I
FRM
P
tot
78
47
W
113
54
Maximum repetitive forward current
T
C
=25擄C,
t
p
limited by
T
jmax
,
D=0.5
Power dissipation
T
C
=25擄C
T
C
=90擄C
Operating and storage temperature
Soldering temperature
1.6mm(0.063 in.) from case for 10s
T
j ,
T
stg
T
S
-55...+150
260
擄C
擄C
Rev.2
Page 1
2003-07-31

IDB18E120 產(chǎn)品屬性

  • IDB18E120

  • 1,000

  • 分離式半導體產(chǎn)品

  • 單二極管/整流器

  • -

  • 標準

  • 1200V（1.2kV）

  • 31A（DC）

  • 2.15V @ 18A

  • 快速恢復 = 200mA（Io）

  • 195ns

  • 100µA @ 1200V

  • -

  • 表面貼裝

  • TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

  • PG-TO263-3

  • 帶卷 (TR)

  • SP000013919

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