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HYM328000GD- Datasheet

  • HYM328000GD-

  • 8M x 32-Bit Dynamic RAM Module SMALL OUTLINE MEMORY MODULE

  • 34.38KB

  • 8頁

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8M
脳
32-Bit Dynamic RAM Module
SMALL OUTLINE MEMORY MODULE
HYM 328000GD-50/-60
Preliminary Information
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8 388 608 words by 32-bit organization
Fast access and cycle time
50 ns access time
95 ns cycle time (-50 version)
60 ns access time
110 ns cycle time (-60 version)
Fast page mode capability with
35 ns cycle time (-50 version)
40 ns cycle time (-60 version)
Single + 3.3 V (鹵 0.3 V) supply
Low power dissipation
max. 2016 mW active (-50 version)
max. 1728 mW active (-60 version)
LVCMOS 鈥?3.6 mW standby
LVTTL 鈥?28.8 mW standby
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CAS-before-RAS refresh, RAS-only-refresh, Self Refresh
4 decoupling capacitors mounted on substrate
All inputs, outputs and clock fully TTL compatible
72 pin, dual read-out, one bank, Small Outline DIMM Module
Utilizes four 8M
脳
8 -DRAMs (HYB 3165800T)
4096 refresh cycles / 64 ms
Gold contact pad
Semiconductor Group
187
11.94

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