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HYM324000GD- Datasheet

  • HYM324000GD-

  • 4M x 32-Bit Dynamic RAM Module SMALL OUTLINE MEMORY MODULE

  • 30.71KB

  • 6頁(yè)

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4M
脳
32-Bit Dynamic RAM Module
SMALL OUTLINE MEMORY MODULE
HYM 324000GD-50/-60
Preliminary Information
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4 0194 034 words by 32-bit organization
Fast access and cycle time
50 ns access time
95 ns cycle time (-50 version)
60 ns access time
110 ns cycle time (-60 version)
Fast page mode capability with
35 ns cycle time (-50 version)
40 ns cycle time (-60 version)
Single + 3.3 V (鹵 0.3 V) supply
Low power dissipation
max. 1008 mW active (-50 version)
max. 864 mW active (-60 version)
LVCMOS 鈥?1.8 mW standby
TTL
鈥?14.4 mW standby
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CAS-before-RAS refresh, RAS-only-refresh. Self Refresh
2 decoupling capacitors mounted on substrate
All inputs, outputs and clock fully TTL compatible
72 pin, dual read-out, one bank, Small Outline DIMM Module
Utilizes two 4M
脳
16 -DRAMs (HYB 3165160T)
4096 refresh cycles / 64 ms
Gold contact pad
Semiconductor Group
181
11.94

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