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HYM322030S Datasheet

  • HYM322030S

  • 2M x 32-Bit Dynamic RAM Module

  • 9頁

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2M
x
32-Bit Dynamic RAM Module
HYM 322030S/GS-60/-70
Advanced Information
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2 097 152 words by 32-bit organization
Fast access and cycle time
60 ns access time
110 ns cycle time (-60 version)
70 ns access time
130 ns cycle time (-70 version)
Fast page mode capability
40 ns cycle time (-60 version)
45 ns cycle time (-70 version)
Single + 5 V (鹵 10 %) supply
Low power dissipation
max. 3300 mW active (-60 version)
max. 3025 mW active (-70 version)
CMOS 鈥?22 mW standby
TTL
鈥?44 mW standby
鈥?/div>
CAS-before-RAS refresh
RAS-only-refresh
Hidden-refresh
4 decoupling capacitors mounted on
substrate
All inputs, outputs and clocks fully TTL
compatible
72 pin Single in-Line Memory Module
(L-SIM-72-9 ) with 20.32 mm (800 mil) height
Utilizes four 2M
脳
8 - DRAMs in 400 mil
SOJ-packages
2048 refresh cycles / 32 ms
Tin-Lead contact pads (S - version)
Gold contact pads (GS - version)
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Ordering Information
Type
HYM 322030S-60
HYM 322030S-70
HYM 322030GS-60
HYM 322030GS-70
Ordering Code
Q67100-Q976
Q67100-Q977
Q67100-Q2018
Q67100-Q2019
Package
L-SIM-72-9
L-SIM-72-9
L-SIM-72-9
L-SIM-72-9
Description
DRAM Module
(access time 60 ns)
DRAM Module
(access time 70 ns)
DRAM Module
(access time 60 ns)
DRAM Module
(access time 70 ns)
Semiconductor Group
561
09.94

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