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HYB5116405BJ-60 Datasheet

  • HYB5116405BJ-60

  • 4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh

  • 28頁

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4M
脳
4-Bit Dynamic RAM
2k & 4k Refresh
(Hyper Page Mode - EDO)
Advanced Information
鈥?4 194 304 words by 4-bit organization
鈥?0 to 70
擄C
operating temperature
鈥?Hyper Page Mode - EDO - operation
鈥?Performance:
-50
HYB 5116405BJ-50/-60
HYB 5117405BJ-50/-60
HYB 3116405BJ/BT(L)-50/-60
HYB 3117405BJ/BT-50/-60
-60
60
15
30
25
ns
ns
ns
ns
t
RAC
RAS access time
t
CAC
CAS access time
t
AA
t
RC
Access time from address
Read/Write cycle time
50
13
25
84
20
104 ns
t
HPC
Hyper page mode (EDO) cycle time
鈥?Power dissipation, refresh & addressing:
HYB 5116405 HYB 3116405 HYB 5117405 HYB 3117405
-50
Power supply
Addressing
Refresh
L-version
Active
TTL Standby
CMOS Standby
CMOS Standby
(L-version)
275
11
5.5
鈥?/div>
-60
-50
-60
-50
-60
-50
-60
5 V
鹵
10%
12/10
3.3 V
鹵
0.3 V
12/10
5 V
鹵
10%
11/11
鈥?/div>
440
11
5.5
鈥?/div>
385
288
7.2
3.6
鈥?/div>
252
mW
mW
mW
mW
3.3 V
鹵
0.3 V
11/11
4096 cylces / 64 ms
4096 cycles / 128 ms
220
180
7.2
3.6
0.72
144
2048 cycles / 32 ms
鈥?Read, write, read-modify-write, CAS-before-RAS refresh, RAS-only refresh, hidden refresh,
test mode and Self Refresh (on L-versions only)
鈥?All inputs, outputs and clocks fully TTL (5 V versions) and LV-TTL (3.3 V version)-compatible
鈥?Plastic Package:
P-SOJ-26/24-1
300 mil
P-TSOPII-26/24-1 300 mil
Semiconductor Group
1
1998-10-01

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