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HY62UF16804A Datasheet

  • HY62UF16804A

  • x16|3V|55/70/85|Super Low Power Slow SRAM - 8M

  • 10頁

  • ETC

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HY62UF16804A Series
512Kx16bit full CMOS SRAM
Document Title
512K x16 bit 3.0V Super Low Power Full CMOS slow SRAM
Revision History
Revision No
04
History
Initial Revision History Insert
Revised
- Reliability Spec Deleted
Change AC Characteristics
- tBLZ : 5/5/5
---> 10/10/10
Part Number is changed
- HY62UF16803A --> HY62UF16804A
Marking Instruction is inserted
Test Condition Changed
- I
LO
/ I
SB
/ I
SB1
/ V
DR
/ I
CCDR
Marking Istruction Inserted
Change Logo
- Hyundai
脿
Hynix
Change DC Parameter
- Isb1(LL) : 40uA
脿
- Isb1(Typ) : 8uA
脿
- Icc
: 5mA
脿
- Icc1(1us) : 8mA
脿
- Icc1(Min) : 50mA
脿
Change Data Retention
- IccDR(LL) : 25uA
脿
Change AC Parameter
- tOE
: 35ns
脿
: 40ns
脿
- tCW
: 50ns
脿
- tAW
: 50ns
脿
- tBW
: 50ns
脿
- tWP
: 45ns
脿
- tCHZ
: 30ns
脿
- tOHZ
: 30ns
脿
- tBHZ
: 30ns
脿
25uA
1uA
4mA
4mA
40mA
15uA
25ns@55ns
35ns@70ns
45ns@55ns
45ns@55ns
45ns@55ns
40ns@55ns
20ns@55ns , 30ns
脿
25ns@70ns
20ns@55ns , 30ns
脿
25ns@70ns
20ns@55ns , 30ns
脿
25ns@70ns
Draft Date
Jul.02.2000
Remark
Preliminary
05
Oct.23.2000
Preliminary
06
Nov.13.2000
Preliminary
07
08
Dec.5.2000
Dec.16.2000
Preliminary
Preliminary
09
Apr.28.2001
10
Jan.28.2002
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hyundai Electronics does not assume any
responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.
Rev.10 /Jan2002
Hynix Semiconductor

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