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HY62SF16404E Datasheet

  • HY62SF16404E

  • x16|1.8V|70|Super Low Power Slow SRAM - 4M

  • 10頁

  • ETC

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HY62SF16404E Series
256Kx16bit full CMOS SRAM
Document Title
256K x16 bit 1.65 ~ 2.3V Super Low Power FCMOS Slow SRAM
Revision History
Revision No
00
01
02
History
Initial Draft
Package Height Changed 1.0mm -> 0.9mm
ISB1 Changed 6uA -> 10uA
V
OH
Changed 1.6V -> 1.4V
Icc Changed 0.5mA -> 1.0mA
Draft Date
Dec.20.2001
Mar.05.2002
May.17.2002
Remark
Preliminary
Preliminary
Preliminary
03
AC Test Loads
Nov.11.2002
- (R1//R2) 4091Ohm // 3273Ohm -> 3070Ohm // 3150Ohm
AC Test Conditions
- Output Load changed 5pF -> 30pF
- Input Pulse Level 0.4V to 1.6V -> 0.2V to Vcc-0.2
Final
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Electronics does not assume any
responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.
Rev.03 / Nov.02
Hynix Semiconductor

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