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HVM306 Datasheet

  • HVM306

  • 25.84KB

  • 3頁

  • ETC

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

PDF預(yù)覽

HVM306
Silicon Epitaxial Planar Diode for
Lowpass Circuit
Preliminary
Rev. 1
Jun. 1992
Features
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
High capacitance ratio. (n=10min)
Low series resistance.
Low cost.
MPAK package is suitable for high density
surface mounting and high speed assembly.
2
Pin Arrangement
3
1
Ordering Information
Type No.
HVM306
Laser Mark
T9
Package Code
MPAK
(Top View)
1 Anode
2 Anode
3 Cathode
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25擄C)
Item
Reverse voltage
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
R
T
j
Tstg
Value
30
125
-55 to +125
Unit
V
擄C
擄C
Electrical Characteristics
(Ta = 25擄C)
Item
Reverse current
Capacitance
Capacitance ratio
Series resistance
IN
Symbol Min
I
R(1)
鈥?/div>
I
R(2)
C
2
C
25
n
r
s
鈥?/div>
29.4
2.67
10.0
鈥?/div>
Typ
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
OUT
Max
10
100
34.3
3.02
鈥?/div>
0.75
Unit
nA
pF
鈥?/div>
鈩?/div>
Test Condition
V
R
= 30 V
V
R
= 30 V, Ta= 60 擄C
V
R
= 2 V, f = 1 MHz
V
R
= 25 V, f = 1 MHz
C
2
/C
25
C = 9 pF, f = 470MHz
V
T
Lowpass Circuit

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