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HUF75925D3ST Datasheet

  • HUF75925D3ST

  • 11A, 200V, 0.275 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETs

  • 197.43KB

  • 10頁(yè)

  • FAIRCHILD

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HUF75925P3, HUF75925D3ST
Data Sheet
December 2001
11A, 200V, 0.275 Ohm, N-Channel,
UltraFET廬 Power MOSFETs
Packaging
JEDEC TO-220AB
SOURCE
DRAIN
GATE
GATE
DRAIN
(FLANGE)
SOURCE
Features
JEDEC TO-252AA
DRAIN
(FLANGE)
鈥?Ultra Low On-Resistance
- r
DS(ON)
= 0.275鈩? V
GS
=
10V
鈥?Simulation Models
- Temperature Compensated PSPICE廬 and SABER鈩?/div>
Electrical Models
- Spice and SABER Thermal Impedance Models
- www.fairchildsemi.com
鈥?Peak Current vs Pulse Width Curve
鈥?UIS Rating Curve
HUF75925P3
HUF75925D3ST
Symbol
D
Ordering Information
PART NUMBER
HUF75925P3
G
PACKAGE
TO-220AB
TO-252AA
BRAND
75925P
75925D
HUF75925D3ST
S
NOTE: When ordering, use the entire part number.
Absolute Maximum Ratings
T
C
= 25
o
C, Unless Otherwise Specified
HUF75925P3,
HUF75925D3ST
UNITS
V
V
V
A
A
Drain to Source Voltage (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V
DSS
Drain to Gate Voltage (R
GS
= 20k鈩? (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V
DGR
Gate to Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V
GS
Drain Current
Continuous (T
C
= 25
o
C, V
GS
= 10V) (Figure 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I
D
Continuous (T
C
= 100
o
C, V
GS
= 10V) (Figure 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I
D
Pulsed Drain Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I
DM
Pulsed Avalanche Rating . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . UIS
Power Dissipation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . P
D
Derate Above 25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Operating and Storage Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T
J
, T
STG
Maximum Temperature for Soldering
Leads at 0.063in (1.6mm) from Case for 10s . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T
L
Package Body for 10s, See Techbrief TB334. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T
pkg
NOTE:
1. T
J
= 25
o
C to 150
o
C.
200
200
鹵20
11
8
Figure 4
Figures 6, 14, 15
100
1.5
-55 to 175
300
260
W
W/
o
C
o
C
o
C
o
C
CAUTION:
Stresses above those listed in 鈥淎bsolute Maximum Ratings鈥?may cause permanent damage to the device. This is a stress only rating and operation of the
device at these or any other conditions above those indicated in the operational sections of this specification is not implied.
漏2001 Fairchild Semiconductor Corporation
HUF75925P3, HUF75925D3ST Rev. B

HUF75925D3ST 產(chǎn)品屬性

  • 2,500

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • FET - 單

  • UltraFET™

  • MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • 邏輯電平門

  • 200V

  • 11A

  • 275 毫歐 @ 11A，10V

  • 4V @ 250µA

  • 78nC @ 20V

  • 1030pF @ 25V

  • 100W

  • 表面貼裝

  • TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

  • D-Pak

  • 帶卷 (TR)

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