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HTIP49 Datasheet

  • HTIP49

  • NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

  • 35.73KB

  • 3頁(yè)

  • HSMC

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HI-SINCERITY
MICROELECTRONICS CORP.
Spec. No. : HE6726-A
Issued Date : 1998.07.01
Revised Date : 1999.08.01
Page No. : 1/3
HTIP49
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Description
The HTIP49 is designed for high voltage and switching applications.
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25擄C)
鈥?/div>
Maximum Temperatures
Storage Temperature ............................................................................................ -50 ~ +150
擄C
Junction Temperature ................................................................................... +150
擄C
Maximum
鈥?/div>
Maximum Power Dissipation
Total Power Dissipation (Tc=25擄C) .................................................................................... 40 W
鈥?/div>
Maximum Voltages and Currents
BVCBO Collector to Base Voltage .................................................................................... 450 V
BVCEO Collector to Emitter Voltage................................................................................. 350 V
BVEBO Emitter to Base Voltage ........................................................................................... 5 V
IC Collector Current .............................................................................................................. 1 A
Characteristics
(Ta=25擄C)
Symbol
BVCBO
BVCEO
BVEBO
IEBO
ICEO
ICES
*VCE(sat)
VBE(on)
*hFE1
*hFE2
fT
Min.
450
350
5
-
-
-
-
-
30
10
10
Typ.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Max.
-
-
-
1
1
1
1
1.5
150
-
-
Unit
V
V
V
mA
mA
mA
V
V
Test Conditions
IC=1mA
IC=30mA
IE=0.1mA
VEB=5V
VCE=250V
VCE=450V
IC=1A, IB=0.2A
IC=1A, VCE=10V
IC=0.3A, VCE=10V
IC=1A, VCE=10V
IC=0.2A, VCB=10V, f=2KHz
*Pulse Test : Pulse Width
鈮?80us,
Duty Cycle鈮?%
MHz
HSMC Product Specification

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    HSMC
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    HSMC [Hi-S...
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