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HTIP125 Datasheet

  • HTIP125

  • PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

  • 3頁(yè)

  • HSMC

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HI-SINCERITY
MICROELECTRONICS CORP.
Spec. No. : HE6730-B
Issued Date : 1997.08.13
Revised Date : 1999.08.01
Page No. : 1/3
HTIP125
PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Description
The HTIP125 is designed for medium power linear and switching
applications.
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25擄C)
鈥?/div>
Maximum Temperatures
Storage Temperature ............................................................................................ -55 ~ +150
擄C
Junction Temperature ................................................................................... +150
擄C
Maximum
鈥?/div>
Maximum Power Dissipation
Total Power Dissipation (Tc=25擄C) .................................................................................... 65 W
Total Power Dissipation (Ta=25擄C) ...................................................................................... 2 W
鈥?/div>
Maximum Voltages and Currents
BVCBO Collector to Base Voltage ..................................................................................... -60 V
BVCEO Collector to Emitter Voltage.................................................................................. -60 V
BVEBO Emitter to Base Voltage .......................................................................................... -5 V
IC Collector Current ............................................................................................................. -5 A
Characteristics
(Ta=25擄C)
Symbol
BVCBO
*BVCEO
ICEO
ICBO
IEBO
*VCE(sat1)
*VCE(sat)2
*VBE(on)
*hFE1
*hFE2
Cob
Min.
-60
-60
-
-
-
-
-
-
1000
1000
-
Typ.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Max.
-
-
-0.5
-0.2
-2
-2
-4
-2.5
-
-
300
Unit
V
V
mA
mA
mA
V
V
V
Test Conditions
IC=-1mA, IE=0
IC=-100mA, IB=0
VCE=-30V, IE=0
VCE=-60V, IB=0
VEB=-5V, IC=0
IC=-3A, IB=-12mA
IC=-5A, IB=-20mA
IC=-3A, VCE=-3V
IC=-0.5A, VCE=-3V
IC=-3A, VCE=-3V
VCB=-10V, f=0.1MHz, IE=0
FP
*Pulse Test : Pulse Width
鈮?80us,
Duty Cycle鈮?%
HSMC Product Specification

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    HSMC [Hi-S...
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    HSMC
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