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HSB764 Datasheet

  • HSB764

  • PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

  • 4頁

  • HSMC

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HI-SINCERITY
MICROELECTRONICS CORP.
Spec. No. : HE6549-B
Issued Date : 1996.11.25
Revised Date : 2000.10.01
Page No. : 1/4
HSB764
PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Description
Voltage regulator, Relay driver, electrical equipment application.
Absolute Maximum Ratings
鈥?/div>
Maximum Temperatures
Storage Temperature ............................................................................................ -55 ~ +150
擄C
Junction Temperature ................................................................................... +150
擄C
Maximum
鈥?/div>
Maximum Power Dissipation
Total Power Dissipation (Ta=25擄C) ............................................................................... 900 mW
鈥?/div>
Maximum Voltages and Currents (Ta=25擄C)
VCBO Collector to Base Voltage ....................................................................................... -60 V
VCEO Collector to Emitter Voltage .................................................................................... -50 V
VEBO Emitter to Base Voltage ............................................................................................ -5 V
IC Collector Current ............................................................................................................. -1 A
Characteristics
(Ta=25擄C)
Symbol
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
*VCE(sat)
*VBE(sat)
*hFE1
*hFE2
fT
Cob
Min.
-60
-50
-5
Typ.
Max.
Unit
V
V
V
uA
uA
mV
V
Test Conditions
IC=-100uA, IE=0
IC=-1mA, IB=0
IE=-10uA, IC=0
VCB=-50V, IE=0
VEB=-4V, IC=0
IC=-500mA, IB=-50mA
IC=-500mA, IB=-50mA
VCE=-2V, IC=-50mA
VCE=-2V, IC=-1A
VCE=-10V, IC=-50mA
VCB=-10V, IE=0, f=1MHz
60
30
150
20
-1
-1
-700
-1.2
320
MHz
pF
*Pulse Test : Pulse Width
鈮?80us,
Duty Cycle鈮?%
Classification of hFE1
Rank
Range
D
60-120
E
100-200
F
160-320
HSMC Product Specification

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    HSMC [Hi-S...
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