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HSA1300D Datasheet

  • HSA1300D

  • SILICON PNP EPITAXIAL TYPE

  • 3頁

  • HSMC

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HI-SINCERITY
MICROELECTRONICS CORP.
Spec. No. : HD200202
Issued Date : 1999.07.01
Revised Date : 2002.02.20
Page No. : 1/3
HSA1300D
SILICON PNP EPITAXIAL TYPE
Description
鈥?/div>
Strobo Flash Applications
鈥?/div>
Medium Power Amplifier Applications
Features
鈥?/div>
High DC Current Gain and Excellenr hFE Linearity
鈥?/div>
hFE(1)=140-600, (VCE=-1V, IC=-0.5A)
鈥?/div>
hFE(2)=60 (Min.), 120(Typ.), (VCE=-1V, IC=-4A)
鈥?/div>
Low Saturation Voltage.
鈥?/div>
VCE(sat)=-0.5V(Max.), (IC=-2A, IE=-50mA)
TO-126ML
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25擄C)
Characteristic
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
DC
Pulsed
(Note1)
Symbol
VCBO
VCES
VCEO
VEBO
IC
ICP
IB
PC
Tj
Tstg
Ratios
-20
-20
-10
-6
-2
-5
-2
1.5
150
-55~150
Unit
V
V
V
A
A
W
擄C
擄C
Base Current
Collector Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature Range
Note 1: Pulse Width=10ms(Max.), Duty Cycle=30%(Max.)
Electrical Characteristics
(Ta=25擄C)
Symbol
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ICBO
IEBO
*hFE(1) (Note 2)
*hFE(2)
*VCE(sat)
VBE
fT
Cob
Min.
-10
-6
-
-
140
60
-
-
-
-
Typ.
-
-
-
-
-
120
-0.20
-0.83
140
50
Max.
-
-
-100
-100
600
-
-0.50
-1.5
-
-
Unit
V
V
nA
nA
Test Condition
IC=10mA, IB=0
IE=-1mA, IC=0
VCE=-20V, IE=0
VBE=-6V, IC=0
VCE=-1V, IC=0.5A
VCE=-1V, IC=-4A
IC=-2A, IB=-50mA
VCE=-1V, IC=-2A
VCE=-1V, IC=-0.5A
VCE=-10V, IE=0, f=1KHZ
V
V
MHz
pF
*Pulse Test: Pulse Width
鈮?80us,
Duty Cycle鈮?%
Classifications of hFE
Rank
hFE(1)
Y
140-280
GR
200-400
EL
300-600
HSA1300D
HSMC Product Specification

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    PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
    HSMC
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    PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
    HSMC [Hi-S...
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    HSMC
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    SILICON PNP EPITAXIAL TYPE
    HSMC [Hi-S...
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    PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR(for high-definition CRT disp...
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