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HE8812SG Datasheet

  • HE8812SG

  • GaAlAs Infrared Emitting Diode

  • 6頁(yè)

  • HITACHI

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HE8812SG
GaAlAs Infrared Emitting Diode
ODE-208-1000A (Z)
Rev.1
Jan. 2003
Description
The HE8812SG is a GaAlAs double heterojunction structure 870 nm band light emitting diode. It is
suitable for use as the light source in a wide range of optical control and sensing equipment.
Features
鈥?/div>
High efficiency and high output power
Package Type
鈥?/div>
HE8812: SG1
Internal Circuit
1
2

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