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H2N3417 Datasheet

  • H2N3417

  • NPN SILICON TRANSISTOR

  • 37.29KB

  • 3頁(yè)

  • HSMC

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HI-SINCERITY
MICROELECTRONICS CORP.
Spec. No. : HE6267-B
Issued Date : 1992.11.25
Revised Date : 2000.09.01
Page No. : 1/3
H2N3417
NPN SILICON TRANSISTOR
Description
The H2N3417 is a silicon NPN planar epitaxial transistor designed
for small signal general purpose and switching applications.
Absolute Maximum Ratings
鈥?/div>
Maximum Temperatures
Storage Temperature............................................................................................ -55 ~ +150
擄C
Junction Temperature................................................................................... +150
擄C
Maximum
鈥?/div>
Maximum Power Dissipation
Total Power Dissipation (Ta=25擄C) .............................................................................. 625 mW
鈥?/div>
Maximum Voltages and Currents (Ta=25擄C)
VCBO Collector to Base Voltage ........................................................................................ 50 V
VCEO Collector to Emitter Voltage ..................................................................................... 50 V
VEBO Emitter to Base Voltage ............................................................................................. 5 V
IC Collector Current ...................................................................................................... 500 mA
Characteristics
(Ta=25擄C)
Symbol
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
*VCE(sat)
*VBE(sat)
*hFE
Min.
50
50
5
-
-
-
-
180
Typ.
-
-
-
-
-
-
-
-
Max.
-
-
-
100
100
300
850
540
Unit
V
V
V
nA
nA
mV
mV
-
Test Conditions
IC=100uA, IE=0
IC=1mA, IB=0
IE=10uA, IC=0
VCB=50V, IE=0
VEB=5V, IC=0
IB=3mA, IC=50mA
IB=3mA, IC=50mA
VCE=4.5V, IC=2mA
*Pulse Test : Pulse Width
鈮?80us,
Duty Cycle鈮?%
HSMC Product Specification

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    NPN SILICON TRANSISTOR
    HSMC
  • 英文版
    NPN SILICON TRANSISTOR
    HSMC [Hi-S...
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    PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
    HSMC
  • 英文版
    PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
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