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H11F3M Datasheet

  • H11F3M

  • Photo FET Optocouplers

  • 10頁

  • FAIRCHILD

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H11F1M, H11F2M, H11F3M Photo FET Optocouplers
May 2007
H11F1M, H11F2M, H11F3M
Photo FET Optocouplers
Features
As a remote variable resistor:
鈻?/div>
鈮?/div>
100
鈩?/div>
to
鈮?/div>
300M
鈩?/div>
鈻?/div>
鈮?/div>
99.9% linearity
鈻?/div>
鈮?/div>
15pF shunt capacitance
鈻?/div>
鈮?/div>
100G
鈩?/div>
I/O isolation resistance
As an analog switch:
鈻?/div>
Extremely low offset voltage
鈻?/div>
60 V
pk-pk
signal capability
鈻?/div>
No charge injection or latch-up
鈻?/div>
t
on
, t
off
鈮?/div>
15碌S
鈻?/div>
UL recognized (File #E90700)
tm
General Description
The H11FXM series consists of a Gallium-Aluminum-
Arsenide IRED emitting diode coupled to a symmetrical
bilateral silicon photo-detector. The detector is electri-
cally isolated from the input and performs like an ideal
isolated FET designed for distortion-free control of low
level AC and DC analog signals. The H11FXM series
devices are mounted in dual in-line packages.
Applications
As a remote variable resistor:
鈻?/div>
Isolated variable attenuator
鈻?/div>
Automatic gain control
鈻?/div>
Active filter fine tuning/band switching
As an analog switch:
鈻?/div>
Isolated sample and hold circuit
鈻?/div>
Multiplexed, optically isolated A/D conversion
Packages
Schematic
ANODE 1
6
OUTPUT
TERM.
CATHODE 2
5
3
4
OUTPUT
TERM.
漏2007 Fairchild Semiconductor Corporation
H11FXM Rev. 1.0.0
www.fairchildsemi.com

H11F3M 產(chǎn)品屬性

  • 1,000

  • 隔離器

  • 光隔離器 - 晶體管，光電輸出

  • -

  • 1

  • DC

  • 5300Vrms

  • -

  • -

  • 15V

  • -

  • 60mA

  • -

  • 光電 FET

  • 通孔

  • 6-DIP（0.300"，7.62mm）

  • 管件

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    Photo FET Optocouplers
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    Optoisolator MOSFET Output 7500Vpk 1 Channel 6-DIP
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    FET Output Optocoupler, 1-Element, 5300V Isolation, LEAD FRE...
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    Optoisolator MOSFET Output 7500Vpk 1 Channel 6-DIP
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    Optoisolator MOSFET Output 7500Vpk 1 Channel 6-SMD
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