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GURAE83 Datasheet

  • GURAE83

  • Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor

  • 4頁

  • CYSTEKEC

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

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CYStech Electronics Corp.
Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor
Spec. No. : C606FP
Issued Date : 2005.03.29
Revised Date :
Page No. : 1/4
D44H11FP
鈥?/div>
Low V
CE
(sat)
鈥?/div>
High BV
CEO
鈥?/div>
Excellent current gain characteristics
鈥?/div>
Pb-free package
Features
Symbol
D44H11FP
Outline
TO-220FP
B錛欱ase
C錛欳ollector
E錛欵mitter
BCE
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25擄C)
Parameter
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current (DC)
Collector Current (Pulse)
Power Dissipation @ T
A
=25鈩?/div>
Power Dissipation @ T
C
=25鈩?/div>
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Thermal Resistance, Junction to Case
Junction Temperature
Storage Temperature
Note : 1. Single Pulse , Pw鈮?80碌s,Duty鈮?%.
D44H11FP
CYStek Product Specification
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
P
D
P
D
R
胃JA
R
胃JC
Tj
Tstg
Limits
80
80
6
10
20
(Note 1)
2
50
62.5
2.5
150
-55~+150
Unit
V
V
V
A
W
擄C/W
擄C/W
擄C
擄C

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    Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor
    CYSTEKEC
  • 英文版
    Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor
    CYSTEKEC [...

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