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GT60N321 Datasheet

  • GT60N321

  • High Power Switching Applications The 4th Generation

  • 181.61KB

  • 7頁

  • TOSHIBA

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GT60N321
TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
GT60N321
High Power Switching Applications
The 4th Generation
Unit: mm
路
路
路
路
FRD included between emitter and collector
Enhancement-mode
High speed IGBT : t
f
= 0.25 碌s (typ.) (I
C
= 60 A)
FRD : t
rr
= 0.8 碌s (typ.) (di/dt =
鈭?0
A/碌s)
Low saturation voltage: V
CE (sat)
= 2.3 V (typ.) (I
C
= 60 A)
Maximum Ratings
(Ta
=
25擄C)
Characteristics
Collector-Emitter Voltage
Gate-Emitter Voltage
Collector Current
Emitter-Collector
Forward Current
Collector Power Dissipation
(Tc
=
25擄C)
Junction Temperature
Storage Temperature
Screw Torque
DC
1 ms
DC
1 ms
symbol
V
CES
V
GES
I
C
I
CP
I
ECF
I
ECFP
P
C
T
j
T
stg
戮

Rating
1000
鹵25
60
120
15
120
170
150
-55~150
0.8
Unit
V
V
A
JEDEC
A
W
擄C
擄C
N錕?frac12;錕絤
鈥?/div>
鈥?/div>
2-21F2C
JEITA
TOSHIBA
Weight: 9.75 g (typ.)
Equivalent Circuit
Collector
Gate
Emitter
1
2002-01-18

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    TOSHIBA [T...
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    TOSHIBA [T...
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    TOSHIBA [T...
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