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GT60J321 Datasheet

  • GT60J321

  • The 4th Generation Soft Switching Applications

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  • TOSHIBA

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GT60J321
TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
GT60J321
The 4th Generation
Soft Switching Applications
Unit: mm
路
路
路
Enhancement-mode
High speed: t
f
= 0.30 碌s (typ.) (I
C
= 60 A)
Low saturation voltage: V
CE (sat)
= 1.55 V (typ.) (I
C
= 60 A)
Maximum Ratings
(Ta
=
25擄C)
Characteristics
Collector-emitter voltage
Gate-emitter voltage
Collector current
Emitter-collector forward
current
Collector power dissipation
(Tc
=
25擄C)
Junction temperature
Storage temperature range
Screw torque
DC
1 ms
DC
1 ms
Symbol
V
CES
V
GES
I
C
I
CP
I
ECF
I
ECPF
P
C
T
j
T
stg
戮
Rating
600
鹵25
60
120
60
120
200
150
-55~150
0.8
Unit
V
V
A
A
JEDEC
W
擄C
擄C
N錕?frac12;錕絤
鈥?/div>
鈥?/div>
2-21F2C
JEITA
TOSHIBA
Weight: 9.75 g (typ.)
Equivalent Circuit
Collector
Gate
Emitter
1
2002-01-18

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    TOSHIBA [T...
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    TOSHIBA [T...
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    TOSHIBA [T...
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    TOSHIBA [T...
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    TOSHIBA [T...
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