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GT40T301 Datasheet

  • GT40T301

  • Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT

  • 312.18KB

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  • TOSHIBA

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GT40T301
TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
GT40T301
Parallel Resonance Inverter Switching Applications
Unit: mm
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
FRD included between emitter and collector
Enhancement-mode
High speed IGBT : t
f
= 0.25 碌s (typ.) (I
C
= 40 A)
FRD : t
rr
= 0.7 碌s (typ.) (di/dt =
鈭?0
A/碌s)
Low saturation voltage: V
CE (sat)
= 3.7 V (typ.) (I
C
= 40 A)
Maximum Ratings
(Ta
=
25擄C)
Characteristics
Collector-emitter voltage
Gate-emitter voltage
Collector current
Emitter-collector forward
current
DC
1 ms
DC
1 ms
Symbol
V
CES
V
GES
I
C
I
CP
I
ECF
I
ECPF
P
C
T
j
T
stg
Rating
1500
鹵25
40
80
30
80
200
150
鈭?5~150
Unit
V
V
A
A
W
擄C
擄C
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
鈥?/div>
鈥?/div>
2-21F2C
Collector power dissipation (Tc
=
25擄C)
Junction temperature
Storage temperature range
Weight: 9.75 g (typ.)
Equivalent Circuit
Collector
Gate
Emitter
1
2002-01-18

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    TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel ...
    TOSHIBA
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    TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel ...
    TOSHIBA [T...
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    N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS)
    TOSHIBA
  • 英文版
    N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS)
    TOSHIBA [T...
  • 英文版
    N CHANNEL TMOS TYPE(HIGH POWER SWITHCING APPLICATIONS)
    TOSHIBA
  • 英文版
    N CHANNEL TMOS TYPE(HIGH POWER SWITHCING APPLICATIONS)
    TOSHIBA [T...
  • 英文版
    Voltage Resonance Inverter Switching Application
    TOSHIBA
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    Voltage Resonance Inverter Switching Application
    TOSHIBA [T...
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    Voltage Resonance Inverter Switching Application
    TOSHIBA
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    Voltage Resonance Inverter Switching Application
    TOSHIBA [T...
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    Silicon N Channel IGBT Voltage Resonance Inverter Switching ...
    TOSHIBA [T...
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    N CHANNEL MOS TYPE (HIGH POWER SWITHCING APPLICATIONS)
    TOSHIBA
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    N CHANNEL MOS TYPE (HIGH POWER SWITHCING APPLICATIONS)
    TOSHIBA [T...
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    Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
    TOSHIBA
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    Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
    TOSHIBA [T...
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    Silicon N Channel IEGT Voltage Resonance Inverter Switching ...
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