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GT40Q321 Datasheet

  • GT40Q321

  • Voltage Resonance Inverter Switching Application

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  • TOSHIBA

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GT40Q321
TOSHIBA Injection Enhanced Gate Transistor Silicon N Channel IEGT
GT40Q321
Voltage Resonance Inverter Switching Application
路
路
路
路
路
The 5th generation
Enhancement-mode
High speed : t
f
= 0.41 碌s (typ.) (I
C
= 40A)
Low saturation voltage: V
CE (sat)
= 2.8 V (typ.) (I
C
= 40A)
FRD included between emitter and collector
Unit: mm
Maximum Ratings
(Ta = 25擄C)
Characteristics
Collector-emitter voltage
Gate-emitter voltage
Continuous collector
current
Pulsed collector current
Diode forward current
Collector power
dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
DC
Pulsed
@ Tc
=
100擄C
@ Tc
=
25擄C
@ Tc
=
100擄C
@ Tc
=
25擄C
Symbol
V
CES
V
GES
I
C
I
CP
I
F
I
FP
P
C
T
j
T
stg
Rating
1200
鹵25
23
42
80
10
80
68
170
150
鈭?5
to 150
Unit
V
V
A
A
A
W
W
擄C
擄C
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
鈥?/div>
鈥?/div>
2-16C1C
Weight: 4.6 g (typ.)
Thermal Characteristics
Characteristics
Thermal resistance (IGBT)
Thermal resistance (diode)
Symbol
R
th (j-c)
R
th (j-c)
Max
0.74
1.79
Unit
擄C/W
擄C/W
Equivalent Circuit
Collector
Gate
Emitter
1
2003-02-05

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    TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel ...
    TOSHIBA
  • 英文版
    TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel ...
    TOSHIBA [T...
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    N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS)
    TOSHIBA
  • 英文版
    N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS)
    TOSHIBA [T...
  • 英文版
    N CHANNEL TMOS TYPE(HIGH POWER SWITHCING APPLICATIONS)
    TOSHIBA
  • 英文版
    N CHANNEL TMOS TYPE(HIGH POWER SWITHCING APPLICATIONS)
    TOSHIBA [T...
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    Voltage Resonance Inverter Switching Application
    TOSHIBA
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    Voltage Resonance Inverter Switching Application
    TOSHIBA [T...
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    Voltage Resonance Inverter Switching Application
    TOSHIBA
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    Voltage Resonance Inverter Switching Application
    TOSHIBA [T...
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    Silicon N Channel IGBT Voltage Resonance Inverter Switching ...
    TOSHIBA [T...
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    N CHANNEL MOS TYPE (HIGH POWER SWITHCING APPLICATIONS)
    TOSHIBA
  • 英文版
    N CHANNEL MOS TYPE (HIGH POWER SWITHCING APPLICATIONS)
    TOSHIBA [T...
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    Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
    TOSHIBA
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    Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
    TOSHIBA [T...
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    Silicon N Channel IEGT Voltage Resonance Inverter Switching ...
    TOSHIBA [T...
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    Silicon N Channel IGBT Voltage Resonance Inverter Switching ...
    TOSHIBA [T...
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    Silicon N Channel IGBT Parallel Resonance Inverter Switching...
    TOSHIBA [T...

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