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GT30J324 Datasheet

  • GT30J324

  • Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT

  • 7頁

  • TOSHIBA

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GT30J324
TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
GT30J324
High Power Switching Applications
Fast Switching Applications
路
路
路
The 4th generation
Enhancement-mode
Fast switching (FS): Operating frequency up to 50 kHz (reference)
High speed: t
f
= 0.05 碌s (typ.)
Low switching loss : E
on
= 1.00 mJ (typ.)
: E
off
= 0.80 mJ (typ.)
路
路
Low saturation voltage: V
CE (sat)
= 2.0 V (typ.)
FRD included between emitter and collector
Unit: mm
Maximum Ratings
(Ta = 25擄C)
Characteristics
Collector-emitter voltage
Gate-emitter voltage
Collector current
Emitter-collector forward
current
Collector power dissipation
(Tc = 25擄C)
Junction temperature
Storage temperature range
DC
1 ms
DC
1 ms
Symbol
V
CES
V
GES
I
C
I
CP
I
F
I
FM
P
C
T
j
T
stg
Rating
600
鹵20
30
60
30
60
170
150
鈭?5
to 150
Unit
V
V
A
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
鈥?/div>
鈥?/div>
2-16C1C
A
W
擄C
擄C
Weight: 4.6 g (typ.)
Thermal Characteristics
Characteristics
Thermal resistance (IGBT)
Thermal resistance (diode)
Symbol
R
th (j-c)
R
th (j-c)
Max
0.735
1.90
Unit
擄C/W
擄C/W
Equivalent Circuit
Collector
Gate
Emitter
1
2002-04-19

GT30J324 產(chǎn)品屬性

  • 絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）

  • 30A

  • 2.45V

  • 170W

  • 600V

  • -55°C 到 +150°C

  • TO-3P

  • 3

  • 70ns

  • 50ns

  • 170W

  • 170W

  • TO-3P (N)

  • ?頻道

  • 170W

  • 30A

  • 0.735°C/W

  • 600V

  • 60A

  • 150°C

  • 通孔安裝

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  • 型號
    版本
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    廠商
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  • 英文版
    Silicon N Channel IGBT
    TOSHIBA
  • 英文版
    Silicon N Channel IGBT
    TOSHIBA [T...
  • 英文版
    TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel ...
    TOSHIBA
  • 英文版
    TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel ...
    TOSHIBA [T...
  • 英文版
    4TH GENERATION IGBT CURRENT RESONANCE INVERTER SWITCHING
    TOSHIBA [T...
  • 英文版
    N CHANNEL IGBT(HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATI...
    TOSHIBA
  • 英文版
    N CHANNEL IGBT(HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATI...
    TOSHIBA [T...
  • 英文版
    N CHANNEL IGBT(HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATI...
    TOSHIBA
  • 英文版
    N CHANNEL IGBT(HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATI...
    TOSHIBA [T...
  • 英文版
    N CHANNEL MOS TYPE ( THE 4TH GENERATION CURRENT RESONANCE IN...
    TOSHIBA
  • 英文版
    N CHANNEL MOS TYPE ( THE 4TH GENERATION CURRENT RESONANCE IN...
    TOSHIBA [T...
  • 英文版
    Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
    TOSHIBA
  • 英文版
    Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
    TOSHIBA [T...
  • 英文版
    THYRISTOR|GTO|800V V(DRM)|TO-209VARM20
    ETC
  • 英文版
    THYRISTOR|GTO|1KV V(DRM)|TO-209VARM20
    ETC
  • 英文版
    THYRISTOR|GTO|1.2KV V(DRM)|ST-RK-FG-M20
    ETC
  • 英文版
    THYRISTOR|GTO|1.6KV V(DRM)|ST-RK-FG-M20
    ETC
  • 英文版
    THYRISTOR|GTO|3.5KV V(DRM)|TO-209VARM20
    ETC
  • 英文版
    THYRISTOR|GTO|4KV V(DRM)|TO-209VARM20
    ETC
  • 英文版
    THYRISTOR|GTO|4.5KV V(DRM)|ST-RK-FG-M20
    ETC

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