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GT25Q102 Datasheet

  • GT25Q102

  • N CHANNEL IBGT (HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS)

  • 154.83KB

  • 6頁(yè)

  • TOSHIBA

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GT25Q102
TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor
Silicon N Channel IGBT
GT25Q102
High Power Switching Applications
Unit: mm
The 3rd Generation
Enhancement-Mode
High Speed: t
f
= 0.32 碌s (max)
Low Saturation Voltage: V
CE (sat)
= 2.7 V (max)
Maximum Ratings
(Ta
=
25擄C)
Characteristic
Collector-emitter voltage
Gate-emitter voltage
Collector current
Collector power dissipation
(Tc
=
25擄C)
Junction temperature
Storage temperature range
DC
1 ms
Symbol
V
CES
V
GES
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
stg
Rating
1200
鹵20
25
50
200
150
-55~150
Unit
V
V
A
W
擄C
擄C
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
鈥?/div>
鈥?/div>
2-21F2C
Weight: 9.75 g (typ.)
1
2003-03-18

GT25Q102 產(chǎn)品屬性

  • 絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)

  • 25A

  • 2.7V

  • 200W

  • 1.2kV

  • -55°C 到 +150°C

  • TO-3P

  • 3

  • 100ns

  • 160ns

  • 200W

  • 200W

  • TO-3P (LH)

  • ?頻道

  • 200W

  • 25A

  • 1.2kV

  • 50A

  • 通孔安裝

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    N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
    GTM
  • 英文版
    N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
    GTM [GTM C...
  • 英文版
    N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
    GTM
  • 英文版
    N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
    GTM [GTM C...
  • 英文版
    N CHANNEL IGBT (STROBE FLASH APPLICATIONS)
    TOSHIBA
  • 英文版
    N CHANNEL IGBT (STROBE FLASH APPLICATIONS)
    TOSHIBA [T...
  • 英文版
    N CHANNEL IGBT (STROBE FLASH APPLICATIONS)
    TOSHIBA
  • 英文版
    N CHANNEL IGBT (STROBE FLASH APPLICATIONS)
    TOSHIBA [T...
  • 英文版
    TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 25A I(C) | TO-2...
    ETC
  • 英文版
    N CHANNEL (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)
    TOSHIBA
  • 英文版
    N CHANNEL (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)
    TOSHIBA [T...
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    N CHANNEL (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)
    TOSHIBA
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    N CHANNEL (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)
    TOSHIBA [T...
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    N CHANNEL IGBT(HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATI...
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