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GT25G101 Datasheet

  • GT25G101

  • N CHANNEL IGBT (STROBE FLASH APPLICATIONS)

  • 4頁

  • TOSHIBA

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GT25G101
TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N鈭扖HANNEL IGBT
GT25G101
STROBE FLASH APPLICATIONS
l
High Input Impedance
l
Low Saturation Voltage
l
Enhancement鈭扢ode
l
20V Gate Drive
: V
CE (sat)
=8V (Max.) (I
C
=170A)
Unit in mm
MAXIMUM RATINGS
(Ta=25
擄C
)
CHARACTERISTIC
Collector鈭扙mitter Voltage
Gate鈭扙mitter Voltage
Collector Current
Collector Power
Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature Range
DC
1ms
Ta=25擄C
Tc=25擄C
SYMBOL
V
CES
V
GES
I
C
I
CP
P
C
P
C
T
j
T
stg
RATING
400
鹵25
25
170
1.3
75
150
鈭?5~150
UNIT
V
V
A
W
擄C
擄C
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
Weight : 1.5g
鈥?/div>
鈥?/div>
2鈭?0S1C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Ta=25
擄C
)
CHARACTERISTIC
Gate Leakage Current
Collector Cut鈭抩ff Current
Gate鈭扙mitter Cut鈭抩ff Voltage
Collector鈭扙mitter Saturation Voltage
Input Capacitance
Rise Time
Switching Time
Turn鈭抩n Time
Fall Time
Turn鈭抩ff Time
Thermal Resistance
SYMBOL
I
GES
I
CES
V
GE (OFF)
V
CE (sat)
C
ies
t
r
t
on
t
f
t
off
R
th (j鈭抍)
鈥?/div>
TEST CONDITION
V
GE
=鹵25V, V
CE
=0
V
CE
=400V, V
GE
=0
I
C
=1mA, V
CE
=5V
I
C
=170A, V
GE
=20V (Pulsed)
V
CE
=10V, V
GE
=0, f=1MHz
MIN.
鈥?/div>
鈥?/div>
4
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
TYP.
鈥?/div>
鈥?/div>
5
5
2000
0.1
0.15
4.0
4.5
鈥?/div>
MAX.
鹵100
10
7
8
鈥?/div>
0.5
0.5
6.0
7.0
1.66
擄C / W
碌s
UNIT
nA
碌A(chǔ)
V
V
pF
1
2002-02-06

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    GTM [GTM C...
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    GTM
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    GTM [GTM C...
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    N CHANNEL IGBT (STROBE FLASH APPLICATIONS)
    TOSHIBA
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    N CHANNEL IGBT (STROBE FLASH APPLICATIONS)
    TOSHIBA [T...
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    ETC
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