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GT2531 Datasheet

  • GT2531

  • N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

  • 7頁

  • GTM

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Pb Free Plating Product
ISSUED DATE :2006/01/23
REVISED DATE :
GT2531
N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
Description
N-CH BV
DSS
16V
N-CH
R
DS(ON)
58m
N-CH
I
D
3.5A
P-CH BV
DSS
-16V
N-CH
R
DS(ON)
125m
N-CH
I
D
-2.5A
The GT2531 utilized advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance, extremely
efficient and cost-effectiveness device.
The SOT-26 package is universally used for all commercial-industrial surface mount applications.
Features
*Low Gate Change
*Low On-resistance
*RoHS Compliant
Package Dimensions
REF.
A
B
C
D
E
F
Millimeter
Min.
2.70
2.60
1.40
0.30
0
0擄
Max.
3.10
3.00
1.80
0.55
0.10
10擄
REF.
G
H
I
J
K
L
Dimensions
Millimeter
1.90 REF.
1.20 REF.
0.12 REF.
0.37 REF.
0.60 REF.
0.95 REF.
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
3
Continuous Drain Current
3
Pulsed Drain Current
1
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25 :
I
D
@T
A
=70 :
I
DM
P
D
@T
A
=25 :
Tj, Tstg
Ratings
N-channel P-channel
Unit
V
V
A
A
A
W
W/ :
:
16
鹵8
3.5
2.8
10
1.14
0.01
-16
鹵8
-2.5
-2.0
-10
Total Power Dissipation
Linear Derating Factor
Operating Junction and Storage Temperature Range
-55 ~ +150
Thermal Data
Parameter
Thermal Resistance Junction-ambient
3
Max.
Symbol
Rthj-a
Value
110
Unit
: /W
GT2531
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